[发明专利]半导体测试设备和方法、以及数据分析设备

权利要求书

1.一种半导体测试设备，包括：

致动器，其保持辐射源并调整所述辐射源与样品之间的距离；以及

控制器，其控制所述致动器的操作，并基于所述辐射源与所述样品之间的距离来计算所述样品的软错误率，

其中，所述控制器控制所述致动器改变所述辐射源与所述样品之间的距离，

所述控制器绘制所述样品的软错误率相对于所述辐射源与所述样品之间的距离的曲线图，

所述控制器使用所述曲线图确定所述辐射源与所述样品之间的第一距离，在所述辐射源与所述样品之间的第一距离处所述样品的软错误率变为零，并且

所述控制器基于所述第一距离来计算所述样品的金属-介电比。

2.如权利要求1所述的半导体测试设备，其中，所述控制器基于在所述样品中包括的钝化层的厚度和在所述样品中包括的后段制程层的厚度来计算在所述样品中包括的后段制程层的金属-介电比。

3.如权利要求2所述的半导体测试设备，其中，所述控制器使用表示所述后段制程层的厚度与所述后段制程层的金属-介电比之间的关系的查找表来计算所述后段制程层的金属-介电比。

4.如权利要求2所述的半导体测试设备，其中，所述控制器基于关于材料中的辐射能量损失与所述材料的厚度之间的关系的数据来计算所述后段制程层的金属-介电比。

5.如权利要求1所述的半导体测试设备，其中，所述控制器控制所述致动器将所述辐射源与所述样品之间的距离从零改变至所述第一距离。

6.如权利要求5所述的半导体测试设备，其中，所述控制器计算所述辐射源与所述样品之间的第二距离，在所述辐射源与所述样品之间的第二距离处所述样品的软错误率到达其峰值。

7.如权利要求6所述的半导体测试设备，其中，所述控制器基于在预定义量的时间内发生在所述样品中的单一事件的数目来计算所述样品的软错误率，其中，所述单一事件与由于从所述辐射源发射的α粒子而发生在所述样品中的错误相对应。

8.如权利要求7所述的半导体测试设备，其中，所述控制器包括存储器，其存储用于检测在所述样品中发生的单一事件的测试模式和所述测试模式的结果值，

其中，响应于发生在所述样品中的单一事件，所述控制器使用所述测试模式的结果值来校正所述样品的已经发生单一事件的部分的值。

9.如权利要求1所述的半导体测试设备，其中，所述致动器包括：

支柱单元，其基本垂直地放置在衬底上，并在所述衬底上沿第一方向移动；

连接单元，其沿基本垂直于所述第一方向的第二方向移动，其中，所述连接单元通过所述支柱单元移动；以及

保持单元，其与所述连接单元的一端连接，并保持所述辐射源。

10.如权利要求9所述的半导体测试设备，其中，所述保持单元包括形成在所述保持单元的底表面的开口，其中，所述开口露出所述辐射源的一部分。

11.如权利要求9所述的半导体测试设备，其中，所述支柱单元使所述样品的中心和所述辐射源的中心对齐。

12.如权利要求1所述的半导体测试设备，进一步包括：

固定所述样品的在试器件板，其向所述样品提供电力以及向所述控制器发送从所述样品获得的数据。