[发明专利]半导体存储器件的控制器及其操作方法

说明书

提供一种半导体存储器件的控制器以及控制器的操作方法，所述控制器储存用于调试处理的数据。用于控制半导体存储器件的控制器包括：事件发生检测单元，被配置为检测是否发生事件；事件信息产生单元，被配置为响应于来自事件发生检测单元的检测结果产生事件信息；以及命令产生单元，被配置为产生用于将事件信息储存在半导体存储器件中的命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月15日提交的申请号为10-2016-0030854的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的方面涉及一种电子器件，更具体地，涉及一种存储系统及其操作方法。

背景技术

存储系统被广泛用作数字设备(诸如，例如电脑、数码相机、MP3播放器和智能手机)的数据储存器件。所述存储系统可以包括用于储存数据的半导体存储器件和用于控制半导体存储器件的控制器。所述数字设备作为存储系统的主机来操作，并且控制器在主机和半导体存储器件之间传输命令和数据。

半导体存储器件包括在半导体材料(诸如，硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP))上实现的一个或更多个集成电路IC。半导体存储器件通常分为易失性存储器件和非易失性存储器件。

易失性存储器件在设备的电源关掉时丢失其储存的数据。易失性存储器件的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器件即使在设备的电源关掉时仍保留其储存的数据。非易失性存储器件的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。快闪存储器通常分为NOR和NAND快闪存储器。

发明内容

本发明的实施例提供一种用于半导体存储器件的改进的控制器以及该控制器的操作方法。控制器可以储存用于调试处理的数据。

根据本公开的一个方面，提供了用于控制半导体存储器件的控制器，所述控制器包括：事件发生检测单元，被配置为检测是否发生事件；事件信息产生单元，被配置为响应于来自事件发生检测单元的检测结果而产生事件信息；以及命令产生单元，被配置为产生用于将事件信息储存在半导体存储器件中的命令。

根据本公开的一个方面，提供了一种用于操作控制半导体存储器件的控制器的操作方法，所述方法包括：通过多个事件信号线输入的事件信号与表示在事件发生时事件信号的状态的事件预期值进行比较，从而检测事件的发生；产生事件信息，所述事件信息包括在事件发生时的时间点之前和之后预设时间的事件数据；以及产生用于将事件信息储存在半导体存储器件中的命令。

附图说明

现在参考下面的附图来描述本发明的实施例，其中：

图1是图示根据本发明的一个实施例的控制器的框图。

图2是图示在图1中控制器使用的调试处理器的示例的框图。

图3是图示在图2中调试处理器中使用的事件发生检测单元的示例的框图。

图4是图示在图2中调试处理器中使用的事件信息产生单元的示例的框图。

图5是图示根据本发明的一个实施例的事件发生信号表的示例的图表。

图6是图示根据本发明的一个实施例的控制器的操作的流程图。

图7是图示根据本发明的另一个实施例的控制器的框图。

图8是图示根据本发明的一个实施例的存储系统的应用示例的框图。