[发明专利]化学机械抛光装置及其方法在审
申请号: | 201610742003.1 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106695534A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 郑智龙;郭育铭;徐立铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/07 | 分类号: | B24B37/07;B24B37/015;B24B37/34;B24B37/20 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 装置 及其 方法 | ||
技术领域
本发明实施例涉及化学机械抛光装置及其方法。
背景技术
本发明实施例一般涉及化学机械抛光。
化学机械抛光通常被称为CMP。这是其中使用含有研磨磨料、悬浮在反应性化学剂内的研磨液,在晶圆的顶表面进行抛光的工艺。
抛光作用是部分机械和化学部分。当发生化学反应增加材料的去除速率时,该工艺的机械元件施加向下的压力,而这通常是为满足被处理材料的类型定制的。
发明内容
根据本发明的一个实施例,提供了一种化学机械抛光(CMP)装置,包括:处理室;压板,设置在所述处理室中并且配置为允许抛光垫设置在所述压板上;晶圆加热器,设置在所述处理室中并且配置为加热晶圆;以及载体头,设置在所述处理室中并且配置为保持被加热的晶圆紧靠所述抛光垫。
根据本发明的另一实施例,还提供了一种化学机械抛光(CMP)装置,包括:处理室;压板,设置在所述处理室中并且配置为允许抛光垫设置在所述压板上;载体头,设置在所述处理室中并且配置为保持晶圆紧靠所述抛光垫;以及室加热器,设置在所述处理室中并且热连接至所述处理室中的环境。
根据本发明的又另一实施例,还提供了一种化学机械抛光(CMP)方法,包括:降低晶圆和抛光垫之间的第一温度差异;保持所述晶圆紧靠所述抛光垫;以及转动所述晶圆和所述抛光垫的至少一个。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1是根据本发明的一些实施例的化学机械抛光(CMP)装置的平面图。
图2是在操作之前的图1的化学机械抛光(CMP)装置的侧面图,在操作中锁定晶圆加热器和移动机构。
图3是在操作期间的图1的化学机械抛光(CMP)装置的侧面图,在操作中锁定晶圆加热器和移动机构。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
本文所用的术语仅用于描述特定实施例的目的,而不是为了限制本发明。如本文所用,单数形式“一”,“一个”和“该”也包括复数形式意在上述目的,除非本文另外明确指出。进一步理解术语在本说明书中使用“包括”和/或“包含”,或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”时指定所陈述的特征,区域,整体,操作,操作,元件,和/或组件存在,但不排除存在或添加一个或多个其它特征,区域,整体,操作,操作,元件,组件,和/或其组合的。
而且,为便于描述,在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语,以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(转动90度或在其他方位上),而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
除非另有规定,这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的具有相同含义。进一步理解,诸如在常用词典中定义的术语,应该被解释为具与它们在相关技术和本发明的上下文中一致的含义,并且除非在此明确的定义,否则它们不会被解释得过于理想化或过于正式的感觉。
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