[发明专利]化学机械抛光装置及其方法

权利要求书

1.一种化学机械抛光(CMP)装置，包括：

处理室；

压板，设置在所述处理室中并且配置为允许抛光垫设置在所述压板上；

晶圆加热器，设置在所述处理室中并且配置为加热晶圆；以及

载体头，设置在所述处理室中并且配置为保持被加热的晶圆紧靠所述抛光垫。

2.根据权利要求1所述的CMP装置，其中，所述晶圆加热器是晶圆热板。

3.根据权利要求1所述的CMP装置，还包括：

移动机构，与所述载体头连接以允许所述载体头至少在所述晶圆加热器和所述抛光垫之间移动。

4.根据权利要求1所述的CMP装置，还包括：

垫加热器，设置在所述处理室中并且配置为加热所述抛光垫。

5.根据权利要求1所述的CMP装置，还包括：

热传感器，设置在所述处理室中并且配置为检测所述晶圆加热器的温度；以及

控制器，配置为根据检测到的所述晶圆加热器的温度来控制所述晶圆加热器以降低所述晶圆和所述抛光垫之间的温度差异。

6.根据权利要求1所述的CMP装置，还包括：

室加热器，设置在所述处理室中并且配置为加热所述处理室中的环境。

7.根据权利要求6所述的CMP装置，其中，所述室加热器是辐射板。

8.根据权利要求6所述的CMP装置，还包括：

热传感器，设置在所述处理室中并且配置为检测所述处理室中的所述环境的温度；以及

控制器，配置为根据检测到的所述处理室中的所述环境的温度来控制所述室加热器以降低所述处理室中的所述环境和所述抛光垫之间的温度差异。

9.一种化学机械抛光(CMP)装置，包括：

处理室；

压板，设置在所述处理室中并且配置为允许抛光垫设置在所述压板上；

载体头，设置在所述处理室中并且配置为保持晶圆紧靠所述抛光垫；以及

室加热器，设置在所述处理室中并且热连接至所述处理室中的环境。

10.一种化学机械抛光(CMP)方法，包括：

降低晶圆和抛光垫之间的第一温度差异；

保持所述晶圆紧靠所述抛光垫；以及

转动所述晶圆和所述抛光垫的至少一个。