[发明专利]离子注入工具以及离子注入方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及离子注入工具以及离子注入方法。

背景技术

在半导体器件中形成的IC的增大的密度已经驱动了集成电路(IC)的制造。这通常是通过实施更积极的设计规则，以允许更大密度的IC器件形成来实现的。尽管如此，诸如晶体管的IC器件的增加的密度也增加了处理具有降低的部件尺寸的半导体器件的复杂度。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至所述晶圆上；以及多个控制单元，存在于所述压板上并且被配置成施加多个物理场，所述物理场能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至晶圆上；至少一个第一无源元件，存在于所述压板上；至少一个第一驱动单元，被配置成驱动所述第一无源元件以产生能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动的第一场；至少一个第二无源元件，存在于所述压板上；以及至少一个第二驱动动单元，被配置成驱动所述第二无源元件以产生能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动的第二场。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种离子注入方法，包括：将离子束提供至晶圆上；以及施加能够影响所述离子束的离子分别至所述晶圆的多个区域上的运动的多个物理场。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的侧视图。

图2是根据本发明的一些实施例在图1中示出的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。

图3是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。

图4是根据本发明的一些实施例的沿在图3中示出的线4-4截取的截面图。

图5是根据本发明的一些实施例的在图3中示出的区域5的放大图。

图6是根据本发明的一些实施例的离子注入工艺的操作的流程图。

图7是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图4的例子中的压板的相似平面截取的。

图8是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图4的例子中的压板的相似平面截取的。

图9是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。

图10是根据本发明的一些实施例的沿在图9中示出的线10-10截取的截面图。

图11是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图10的例子中的压板的相似平面截取的。

图12是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图10的例子中的压板的相似平面截取的。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接触形成的实施例，并且也可以包括其中可以在第一部件和第二部件之间形成额外的部件，使得第一和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

本文中所使用的术语是仅用于描述特定实施例的目的，而不是为了限制本发明。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式。应当进一步理解，当在本发明中使用术语“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”时，指定阐述的部件、区域、整数、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，但不排除附加的一个或多个其他部件、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在。