[发明专利]像素结构及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，包括：

在衬底基板上形成延伸方向相同且彼此间隔开的第一信号线和第二信号线；

在所述衬底基板上形成初始像素电极，其中，所述初始像素电极包括第一延伸部，所述初始像素电极通过所述第一延伸部与所述第一信号线连接并且所述初始像素电极与所述第二信号线间隔开；以及

去除所述初始像素电极的第一延伸部的至少部分以形成与所述第一信号线间隔开的像素电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，还包括：

在形成所述第一信号线、第二信号线和初始像素电极之后，在所述衬底基板上形成公共电极。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其中，所述在所述衬底基板上形成公共电极包括：

在所述衬底基板上形成公共电极薄膜；以及

对所述公共电极薄膜进行刻蚀处理以形成所述公共电极，其中，在所述刻蚀处理过程中，所述初始像素电极的第一延伸部的所述至少部分被去除。

4.根据权利要求2或3所述的制作方法，还包括：

在形成所述公共电极之前，在所述衬底基板上形成覆盖所述初始像素电极的绝缘层以及位于所述绝缘层中的过孔，其中，所述过孔至少暴露出所述初始像素电极的第一延伸部的所述至少部分。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其中，所述第一信号线和所述第二信号线中的一个为栅线且另一个为公共电极线。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其中，形成导电薄膜，并对所述导电薄膜进行图案化处理，并且在所述图案化处理过程中形成所述第一信号线和所述第二信号线。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，还包括：

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层，

其中，所述初始像素电极还包括第二延伸部，所述第二延伸部与所述漏极连接。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，还包括：

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层，所述漏极与所述初始像素电极的第一延伸部连接。

9.一种阵列基板的制作方法，包括形成多个像素结构，其中，所述像素结构采用权利要求1至8中任一项所述的方法制作。

10.根据权利要求9所述的制作方法，还包括：

在去除所述初始像素电极的第一延伸部的至少部分之前，对位于相邻的像素结构的初始像素电极之间的第一信号线和第二信号线进行缺陷检测。

11.一种像素结构，包括：

衬底基板；

设置于所述衬底基板上的第一信号线和第二信号线，其中，所述第一信号线与所述第二信号具有相同的延伸方向并且彼此间隔开；

设置于所述衬底基板上的像素电极层，其中，所述像素电极层包括像素电极和与所述像素电极间隔开的保留部，所述保留部与所述第一信号线连接并且与所述第二信号线间隔开；以及

覆盖所述像素电极层的绝缘层，其中，所述绝缘层中设置有过孔，所述过孔的至少一部分对应所述像素电极与所述保留部之间的间隔区域。

12.根据权利要求11所述的像素结构，还包括：

公共电极，其设置于所述像素电极的远离所述衬底基板的一侧。

13.根据权利要求12所述的像素结构，其中，所述过孔位于所述公共电极对应的区域之外。

14.根据权利要求11或13所述的像素结构，其中，所述像素电极包括第一凸起，所述第一凸起凸向与所述保留部连接的第一信号线，所述过孔位于所述第一凸起和所述保留部之间。