[发明专利]一种半导体硅材料水基切削液

说明书

技术领域

本发明属于切削油领域，特别涉及一种半导体硅材料水基切削液。

背景技术

使用内圆切割刀片切削单晶硅、多晶硅和其它化合物半导体材料的晶块时工件，一般广泛采用的中性切削液对刀片和工件之间进行润滑，降温、带走摩擦热和洗去切屑。有些切削液添加防锈剂，用于防止机床和刀片生锈。切割半导体晶块主要是靠高速旋转刀片的强力机械作用，这种加工方式造成切片截面刀痕粗糙，破碎层、损伤层深，残余应力大，碎片、崩边、断根等现象严重，损伤层高达30－50微米，增大后面研磨、抛光等工序的加工量，既浪费了材料又降低了加工效率和成品率。由于切屑和新切断面表面能的作用，切屑和表面产生强烈的吸附作用，切屑不易被切削液带走，同时还降低了切削速度。另外，同于芭削工具和环境因素，会产生以铁离子为主的金属离子污染，金属离子会附着在晶体表面并渗透到晶体内部，造成金属污染，严重影响超大规模集成电路制造后道工序的质量，我公司研发出一种无金属离子污染、提高切割出片率和成品合格率的切削液。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种减少污染、不易变质的半导体硅材料水基切削液。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种半导体硅材料水基切削液，其原料组分及其重量份数分别为：

而且，所述聚乙二醇相对分子量为600。

而且，上述半导体硅材料水基切削液的制备方法为：

向水中依次加入聚乙二醇、羟乙基乙二胺、三乙醇胺，混合均匀，静置20min，再加入FA/QB螯合剂，混合搅拌均匀，静置30min，即得产品。

本发明的优点和积极效果是：

本发明在利用胺碱产生的氢氧根离子与硅反应，均匀的作用于硅片的被加工表面，可使硅片剩余损伤小，减小了后面工序的加工量。聚乙二醇可以吸附在固体表面产生很高的位垒和电垒，可以阻碍切屑颗粒在新切表面上的吸附，配合13个以上螯合环、无金属离子且溶于水的乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)FA/QB螯合剂，具有优良的去金属离子的功能，尤其是可高效除去刀片产生的铁离子，可大幅度降低加工过程中金属离子对晶片的染污。

具体实施方式

下面通过具体实施例对本发明作进一步详述，以下实施例只是描述性的，不是限定性的，不能以此限定本发明的保护范围。

实施例1：

一种半导体硅材料水基切削液，其原料组分及其重量分别为：

上述半导体硅材料水基切削液的制备方法为：

向水中依次加入聚乙二醇、羟乙基乙二胺、三乙醇胺，混合均匀，静置20min，再加入FA/QB螯合剂，混合搅拌均匀，静置30min，即得产品。

实施例2：

一种半导体硅材料水基切削液，其原料组分及其重量分别为：

上述半导体硅材料水基切削液的制备方法同实施例1。

实施例3：

一种半导体硅材料水基切削液，其原料组分及其重量分别为：

上述半导体硅材料水基切削液的制备方法同实施例1。