[发明专利]光传感器封装体模块及相机模块有效
申请号: | 201610534448.0 | 申请日: | 2016-07-07 |
公开(公告)号: | CN107591419B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 金德勋;曺永尚;卢憙东 | 申请(专利权)人: | 艾普特佩克股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国忠清北道淸州市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 封装 模块 相机 | ||
1.一种光传感器封装体模块,其特征在于,包含:
光传感器芯片,将光学图像转换为电信号;
印刷电路板,具备在中央部沿上下方向贯通而成的开口部及包围所述开口部的周边部,且以所述周边部的至少一部分与所述光传感器芯片重叠的方式位于所述光传感器芯片上;
密封圈,位于所述光传感器芯片与所述印刷电路板之间而接合所述光传感器芯片与所述印刷电路板;
多个凸缘,位于所述光传感器芯片与所述印刷电路板之间而接合所述光传感器芯片与所述印刷电路板;
成形部,所述成形部在所述印刷电路板的下侧覆盖所述光传感器芯片及所述印刷电路板的下部面整体;及
滤光片,位于所述印刷电路板上而覆盖所述开口部,且与所述周边部结合;
所述滤光片包含吸收红外线波段的光且使其余波段的光透过的吸收型滤光片;
所述密封圈包含金属材质;
所述密封圈沿所述开口部的周围以图案化形成闭环形状,且通过瞬间液相接合的方式接合所述光传感器芯片与所述印刷电路板;
所述多个凸缘沿所述密封圈的外侧周围隔开配置,且通过倒装芯片接合方式接合所述印刷电路板到所述光传感器芯片。
2.根据权利要求1所述的光传感器封装体模块,其特征在于:
所述印刷电路板的热膨胀系数的范围为所述光传感器芯片中所使用的基板的热膨胀系数的1至4倍。
3.根据权利要求2所述的光传感器封装体模块,其特征在于:
所述印刷电路板的热膨胀系数的范围为2×10-6m/℃至8×10-6m/℃。
4.根据权利要求1所述的光传感器封装体模块,其特征在于:
还包含另一成形部,所述另一成形部在所述印刷电路板的下侧覆盖所述光传感器芯片的至少一部分。
5.根据权利要求4所述的光传感器封装体模块,其特征在于:
所述另一成形部在所述印刷电路板的下侧更覆盖所述光传感器芯片的上侧区域。
6.根据权利要求1所述的光传感器封装体模块,其特征在于:
所述滤光片为具有滤光功能的基板一体型滤光片及在透过性基板上形成有滤光层的复合型滤光片中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的光传感器封装体模块,其特征在于:
所述印刷电路板的厚度的范围为50μm至250μm。
8.一种相机模块,其特征在于,包含:
光传感器封装体模块,具有将光学图像转换为电信号的光传感器芯片、以至少一部分与所述光传感器芯片的周边部重叠的方式接合到所述光传感器芯片上的印刷电路板、及以覆盖所述印刷电路板的开放的中央部的方式结合到所述印刷电路板上的滤光片;及
光学系统,以覆盖所述滤光片的方式结合到所述印刷电路板上;
所述光传感器封装体模块还包含:
密封圈,位于所述光传感器芯片与所述印刷电路板之间而接合所述光传感器芯片与所述印刷电路板;
多个凸缘,位于所述光传感器芯片与所述印刷电路板之间而接合所述光传感器芯片与所述印刷电路板;及
成形部,所述成形部在所述印刷电路板的下侧覆盖所述光传感器芯片及所述印刷电路板的下部面整体;
所述印刷电路板具备在所述中央部沿上下方向贯通而成的开口部;
所述滤光片包含吸收红外线波段的光且使其余波段的光透过的吸收型滤光片;
所述密封圈包含金属材质;
所述密封圈沿所述开口部的周围以图案化形成闭环形状,且通过瞬间液相接合的方式接合所述光传感器芯片与所述印刷电路板;
所述多个凸缘沿所述密封圈的外侧周围隔开配置,且通过倒装芯片接合方式接合所述印刷电路板到所述光传感器芯片。
9.根据权利要求8所述的相机模块,其特征在于,
所述成形部在所述印刷电路板的下侧更覆盖所述光传感器芯片的上侧区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的