[发明专利]沉积制程的参数调整方法

说明书

一种沉积制程的参数调整方法，包含：接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数；至少根据几何参数与热辐射参数，建立制程模型；根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中的至少一物理场；与根据物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。

技术领域

本发明实施例是关于一种沉积制程的参数调整方法。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)是一种应用在半导体产业中生产薄膜的技术。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、电浆增强化学气相沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化学气相沉积等。在化学气相沉积的过程中，晶圆将暴露于一种或多种制程气体中，而这些制程气体可能会发生不同的变化，例如分解、沉积等反应并附着于晶圆上，继而在晶圆上形成所需的薄膜。

发明内容

本发明的一技术方案在于提供一种沉积制程的参数调整方法，其能使制程腔体内所预测的物理场更为准确。

根据本发明的多个实施例，一种沉积制程的参数调整方法包含接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数；至少根据几何参数与热辐射参数，建立制程模型；根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中的至少一物理场；与根据物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。

根据本发明的多个实施例，一种沉积制程的参数调整方法包含建立制程腔体的制程模型；将第一物理场考虑为变数，根据制程模型进行模拟，得到非全耦合模拟结果；将第二物理场考虑为变数，并代入非全耦合模拟结果，根据制程模型进行模拟，借此预期制程腔体中的第一物理场与第二物理场；与根据第一物理场与第二物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。

根据本发明的多个实施例，一种沉积制程的参数调整方法包含接收至少一制程腔体的至少一热辐射参数与至少一反射参数；至少根据热辐射参数与反射参数，建立制程模型；根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中至少一物理场；以及根据物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。

本发明上述的多个实施例与已知先前技术相较，至少具有以下优点：

(1)由于制程腔体的几何参数与热辐射参数都被包含在所建立的制程模型中，因此，所预测的物理场将会更为准确。更准确的预测，能够让调整后的参数更确实地把沉积制程最佳化。

(2)通过接收制程腔体的至少一反射参数，并在建立制程模型时也考虑到所接收的反射参数，能有利于模拟热能被反射至晶圆，并对晶圆温度变化所产生的影响，进而使得所预测的物理场更为准确。

(3)由于在非全耦合的模拟方式中，计算机在进行模拟及运算时将分为两个阶段逐一进行，因此，当在模拟并运算的过程中发现错误时，非全耦合的模拟方式能让使用者更容易追溯出错的源头，为使用者带来方便。

(4)在应用非全耦合的模拟方式时，由于物理场的考虑及计算是分阶段性的，因此，在每一个阶段中，计算机所使用的随机存取记忆体，将会有效减少。如此一来，计算机进行模拟及运算的效率也得以提高。

(5)在应用非全耦合的模拟方式时，由于物理场的考虑及计算是分阶段性的，因此，所涉及的网格数量也可以相应减少。如此一来，计算机进行模拟及运算的效率也得以提高。

附图说明

图1绘示依照本发明多个实施例的沉积制程的参数调整方法的操作流程图；

图2绘示图1的制程模型的立体示意图；

图3绘示图1的步骤130的流程示意图；

图4绘示根据本发明多个实施例的处理系统的功能方块图。

具体实施方式