[发明专利]一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法

权利要求书

1.一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法，其特征在于：包括以下步骤：

一，采用MOCVD在530-570℃，500-600托，生长速率低于2µm/h，转速低于500r/h的外延条件下在衬底上表面生长缓冲层；

二，外延生长温度至升高至1000℃以上，100-500托，生长速率高于3 µm/h，转速高于700r/h的条件在缓冲层上生长非故意掺杂层；

三，非故意掺杂层上生长复合调节层的各层结构，复合调节层为GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一种，在外延片生长过程中，根据非故意掺杂层的翘曲值，调整GaInN层中In组分、厚度，以及调整AlGaN层中Al组分、厚度，使生长MQW时趋于平坦；

（1）非故意掺杂层的翘曲值高于-60µm为生长MQW时偏凸，通过GaInN层中In组分提高或者厚度增加，且降低AlGaN层的Al组分及其减薄厚度，外延片的应力会变为更倾向于凹状翘曲，生长MQW时趋于平坦；（2）非故意掺杂层的翘曲值低于-110µm为生长MQW时偏凹状，通过AlGaN层中Al组分提高或者厚度增加，且降低GaInN层中In组分提高及减薄厚度，外延片的应力会变为更倾向于凸状翘曲，生长MQW时趋于平坦；（3）非故意掺杂层的翘曲值居于-110µm至-60µm时为生长MQW时趋于平坦，GaInN、AlGaN层中In、Al组分降低且减薄厚度；

四，在复合调节层上生长第一型导电层；

五，外延生长温度降低至800℃以下，压强低于300托，转速高于800r/h的条件在第一型导电层上生长有源层；

六，外延生长温度升至高于900℃在有源层上依次生长电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层。

2.如权利要求1所述的一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法，其特征在于：复合调节层外延生长温度的变化趋势：生长AlGaN材料温度低于1000℃；生长GaN材料温度高于1000℃；生长GaInN材料温度低于1000℃。

3.如权利要求1所述的一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法，其特征在于：复合调节层外延生长压强的变化趋势：生长AlGaN材料压强低于150托；生长GaN材料压强范围150-300托；生长GaInN材料压强低于150托。

4.如权利要求1所述的一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法，其特征在于：复合调节层外延生长大盘转速的变化趋势：生长AlGaN材料转速低于800r/h；生长GaN材料转速高于800r/h；生长GaInN材料转速低于800r/h。

5.如权利要求1所述的一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法，其特征在于：复合调节层外延生长速率的变化趋势：生长AlGaN材料生长速率低于2µm/h；生长GaN材料生长速率高于4µm/h；生长GaInN材料生长速率低于1µm/h。