[发明专利]高导电银基复合材料的原料配方及制备方法

权利要求书

1.一种用于制备高导电银基复合材料的原料配方，其特征在于，是由重量百分含量计算的下述组分组成：银粉80～88％、炭黑粉体1～18％、纳米氧化铜粉体1～10％、纳米碳化钛粉体0.5～10％、分散剂0.1～2％。

2.根据权利要求1所述原料配方，其特征在于，分散剂为聚乙二醇6000。

3.利用权利要求1所述原料配方制备高导电银基复合材料的方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)按所述原料配方的比例关系称量各组分；

(2)在1000～1500r/min的搅拌速率下，向去离子水中加入分散剂搅拌5分钟；然后在搅拌条件下依次加入纳米氧化铜粉体和纳米碳化钛粉体，继续搅拌40分钟后获得复合料浆；再采用喷雾干燥方式，将复合料浆制备成纳米氧化铜/纳米碳化钛复合粉体，备用；

(3)将银粉、炭黑粉体和步骤(2)中的纳米氧化铜/纳米碳化钛复合粉体置于球磨机中，在500r/min的速度下球磨2～4小时，获得银基复合粉体；

(4)将银基复合粉体置于成型器中，以冷等静压法成型，获得银基复合材料素坯；然后将银基复合材料素坯置于真空烧结炉中，在氩气气氛、800～930℃条件下烧结4～8小时，获得高导电银基复合材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述纳米氧化铜粉体的粒径为30～50nm，纯度为99.99％。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述纳米碳化钛粉体的粒径为20～40nm，纯度为99.99％。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述银粉的粒径为0.5～10um，纯度为99.99％。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述炭黑粉体的粒径为50～200nm，纯度为99.99％。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，控制去离子水的加入量，使其与分散剂的重量比例为100:0.05～100:1。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中，冷等静压压力为200MPa，温度为25℃。