[发明专利]紫外光发光二极管的封装结构在审
| 申请号: | 201610351699.5 | 申请日: | 2016-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN107425102A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
| 发明(设计)人: | 吴上义;谢新贤 | 申请(专利权)人: | 联京光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 紫外光 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种紫外光发光二极管的封装结构,包含:
基材,具有电极;
芯片,设置于该基材上,并电连接该电极;
透明保护罩,覆盖该基材与该芯片;
附着层,设置于该基材与该透明保护罩之间;以及
光反射层,设置于该透明保护罩与该附着层之间,其中该透明保护罩通过该光反射层与该附着层固定于该基材上。
2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该光反射层接触该透明保护罩。
3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该光反射层的材料为金属。
4.如权利要求3所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该附着层的材料为金属,且该光反射层与该附着层共晶结合。
5.如权利要求3所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该附着层的材料为高分子树脂,且该光反射层与该附着层粘合。
6.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩具有第一凹槽,对应该芯片,使该芯片置于该第一凹槽中。
7.如权利要求6所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩具有靠近该基材的一表面,并且位于该第一凹槽内的部分该表面与该基材分离。
8.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该基材还包含:
凹杯结构,环绕该芯片。
9.如权利要求8所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中
该基材还包含承载板,该电极固定于该承载板上,并穿通该承载板以电性导通该承载板的两侧;以及
该凹杯结构接触该电极且与该承载板分离。
10.如权利要求8所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩具有第二凹槽,并且该第二凹槽对应于该凹杯结构与该芯片,使该凹杯 结构与该芯片置于该第二凹槽中。
11.如权利要求8所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩具有靠近该基材的一表面,并且该表面为平面。
12.如权利要求11所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该附着层接触并固定于该凹杯结构的一上表面。
13.如权利要求9所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩形成有一凸出部,该凹杯结构靠近该透明保护罩的一侧形成有一凹陷部,其中该凹陷部对应该凸出部。
14.如权利要求13所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该凸出部与该凹陷部均为环形。
15.如权利要求13所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该附着层固定于该凹陷部中,该光反射层固定于该凸出部上。
16.如权利要求15所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该附着层仅覆盖该凹陷部的一底面,该光反射层仅覆盖该凸出部的一顶面。
17.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该芯片射出的光的波长为450纳米以下。
18.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩具有远离该基材的一弧形表面。
19.一种紫外光发光二极管的封装结构,包含:
基材,具有电极;
芯片,设置于该基材上,并电连接该电极;
透明保护罩,覆盖该基材与该芯片;以及
金属层,设置于该透明保护罩靠近该基材的部分表面,其中该金属层与该电极共晶结合。
20.如权利要求19所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩具有凹槽,对应该芯片,使该芯片置于该凹槽中。
21.如权利要求20所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩具有靠近该基材的一表面,并且位于该凹槽内的部分该表面与该基材分离。
22.如权利要求19所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中
该基材还包含承载板,该电极固定于该承载板上,并穿通该承载板以电 性导通该承载板的两侧;以及
该金属层与该承载板分离。
23.如权利要求19所述的紫外光发光二极管的封装结构,其中该透明保护罩具有远离该基材的弧形表面。
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