[发明专利]绝缘体上半导体构造中的电熔丝有效
| 申请号： | 201610344427.2 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106169465B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | J·霍恩切尔;P·巴尔斯;H-P·莫尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电熔丝 绝缘体 上半 导体 构造 | ||
【权利要求书】：
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