[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够在保证薄膜晶体管电子迁移率的基础上，降低薄膜晶体管的漏电流。该薄膜晶体管包括源极、漏极以及半导体有源层，半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，非晶硅部的至少一部分位于源极和漏极之间；非晶硅部主要由非晶硅构成，多晶硅部主要由多晶硅构成。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

随着液晶显示技术的发展，对薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)半导体层的电子迁移率要求要来越高，低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-siliconThin Film Transistor，LTPS TFT)应运而生，由于LTPS TFT迁移率高，同时可以在较低温条件(低于600℃)下制备而成，基底选择灵活，制备成本较低等优点，因此已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子显示器中。

现有LTPS TFT器件中，当TFT处于关状态时，受TFT自身的寄生电容影响，在漏极耗尽区形成强电场，在该电场的作用下，在漏极一侧难以形成彻底的PN结构，从而在源极和漏极之间存在电子迁移，进而导致漏电流很大，从而使得LTPS TFT器件的性能大大降低。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，能够在保证薄膜晶体管电子迁移率的基础上，降低薄膜晶体管的漏电流。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例一方面提供一种薄膜晶体管，包括源极、漏极以及半导体有源层，所述半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，所述非晶硅部的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间；其中，所述非晶硅部主要由非晶硅构成，所述多晶硅部主要由多晶硅构成。

进一步的，在所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，中间部分为所述非晶硅部，两侧部分为所述多晶硅部。

进一步的，所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，中间部分为所述多晶硅部，两侧部分为所述非晶硅部。

进一步的，所述非晶硅部仅设置于所述源极和所述漏极之间。

进一步的，沿所述薄膜晶体管沟道宽度方向，所述非晶硅部与所述半导体有源层的宽度相同，在所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，沿所述薄膜晶体管沟道长度方向，所述非晶硅部的长度与所述薄膜晶体管沟道长度比值为5％～20％。

进一步的，所述源极与所述半导体有源层之间，以及所述漏极与所述半导体有源层之间设置有欧姆接触层。

进一步的，所述欧姆接触层主要由非晶硅以及导电离子构成。

本发明实施例另一方面还提供一种阵列基板，包括权利要求上述任一项所述的薄膜晶体管。

本发明实施例又一方面还提供一种显示装置，包括权利要求上述的阵列基板。

本发明实施例再一方面还提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜。对所述非晶硅薄膜的部分进行退火处理以形成半导体有源层，其中，所述非晶硅薄膜上经过退火处理的部分为多晶硅部，所述非晶硅薄膜上未经过退火处理的部分为非晶硅部。在形成有所述多晶硅部和所述非晶硅部的衬底基板上，形成数据金属层。对所述数据金属层进行构图，形成源极和漏极；其中，所述非晶硅部的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间。

进一步的，在所述数据金属层之前，还包括：在形成有所述多晶硅部和所述非晶硅部的衬底基板上，在对应所述源极待形成位置以及所述漏极待形成位置，形成欧姆接触层。