[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括源极、漏极以及半导体有源层，其特征在于，所述半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，所述非晶硅部的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间；

其中，所述非晶硅部主要由非晶硅构成，所述多晶硅部主要由多晶硅构成；

所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，中间部分为所述多晶硅部，两侧部分为所述非晶硅部，且两侧部分的非晶硅部与源极和漏极在靠近沟道的一侧重叠。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述薄膜晶体管沟道宽度方向，所述非晶硅部与所述半导体有源层的宽度相同；

在所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，沿所述薄膜晶体管沟道长度方向，所述非晶硅部的长度与所述薄膜晶体管沟道长度比值为5％～20％。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述半导体有源层之间，以及所述漏极与所述半导体有源层之间设置有欧姆接触层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触层主要由非晶硅以及导电离子构成。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的阵列基板。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜的部分进行退火处理以形成半导体有源层，其中，所述非晶硅薄膜上经过退火处理的部分为多晶硅部，所述非晶硅薄膜上未经过退火处理的部分为非晶硅部；

在形成有所述多晶硅部和所述非晶硅部的衬底基板上，形成数据金属层；

对所述数据金属层进行构图，形成源极和漏极；其中，所述非晶硅部的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间；

形成所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，中间部分为所述多晶硅部，两侧部分为所述非晶硅部，且两侧部分的非晶硅部与源极和漏极在靠近沟道的一侧重叠。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述数据金属层之前，还包括：

在形成有所述多晶硅部和所述非晶硅部的衬底基板上，在对应所述源极待形成位置以及所述漏极待形成位置，形成欧姆接触层。

9.根据权利要求7或8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述非晶硅薄膜的部分进行退火处理以形成半导体有源层之后包括：

采用离子轻掺杂工艺对所述半导体有源层进行处理。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述非晶硅薄膜的部分进行退火处理以形成半导体有源层包括，

将激光发射器发射出的激光照射至位于所述非晶硅薄膜远离所述衬底基板一侧的掩膜版，以及位于所述掩膜版与所述非晶硅薄膜之间，且与所述掩膜版透过区的位置相对应的棱镜结构处；

在所述棱镜结构对光线汇聚作用下，所述非晶硅薄膜在对应所述掩膜版透过区的位置受到所述激光照射，以进行退火处理，形成所述多晶硅部；

所述非晶硅薄膜在对应所述掩膜版的遮挡区位置未受到所述激光照射，形成所述非晶硅部。