[发明专利]自发光型显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种自发光型显示装置及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED显示器件属于自发光型显示设备，通常包括分别用作阳极、与阴极的像素电极、和公共电极、以及设在像素电极与公共电极之间的有机发光层，使得在适当的电压被施加于阳极与阴极时，从有机发光层发光。有机发光层包括了设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层，其发光机理为在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子注入层和空穴注入层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

随着显示技术的不断发展，人们对显示装置的显示质量要求也越来越高。量子点(Quantum Dots，QDs)通常是由Ⅱ-Ⅵ、或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的球形半导体纳米微粒，粒径一般在几纳米至数十纳米之间。量子点材料由于量子限域效应的存在，原本连续的能带变成分立的能级结构，受外界激发后可发射可见光。量子点材料由于其发光峰具有较小的半高宽且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行简易调节，因此，将其应用在显示装置中可有效地提升显示装置的色饱和度与色域。

量子点电致发光二极管(Quantum dots Light-emitting Diodes，QLED)和OLED一样都是自发光型二极管，目前市面上的OLED显示装置都是采用蒸镀成膜工艺制备，材料利用率低，导致成本居高不下，特别是大尺寸OLED显示装置尤为突出。而如果采用湿法成膜工艺制备OLED显示器件或QLED显示器件，则几乎不会产生材料浪费，有利于降低OLED显示器件或QLED显示器件成本。但是采用湿法成膜工艺制备的蓝光OLED或蓝光QLED会出现发光效率低和寿命短的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种自发光型显示装置，能够在不影响自发光型显示装置发光效率和寿命的前提下，降低生产成本，提升产品竞争力。

本发明的目的还在于提供一种自发光型显示装置的制作方法，能够在不影响自发光型显示装置发光效率和寿命的前提下，降低生产成本，提升产品竞争力。

为实现上述目的，本发明提供了一种自发光型显示装置，包括：基板、位于所述基板上的蓝光OLED、绿光QLED、和红光QLED、位于所述蓝光OLED，绿光QLED、和红光QLED上的封装胶材、及位于所述封装胶材上方覆盖所述基板的盖板；

所述基板上具有数个阵列排布的蓝色子像素区域、绿色子像素区域、及红色子像素区域；

所述蓝光OLED包括形成于所述蓝色子像素区域上的第一阳极、形成于所述第一阳极上的蓝光空穴注入层、及形成于所述蓝光空穴注入层上的蓝光空穴传输层；

所述绿光QLED包括形成于所述绿色子像素区域上的第二阳极、形成于所述第二阳极上的绿光空穴注入层、形成于所述绿光空穴注入层上的绿光空穴传输层、及形成于所述绿光空穴传输层上的绿光发光层；

所述红光QLED包括形成于所述红色子像素区域上的第三阳极、形成于所述第三阳极上的红光空穴注入层、形成于所述红光空穴注入层上的红光空穴传输层、及形成于所述红光空穴传输层上的红光发光层；

所述蓝光OLED、绿光QLED、及红光QLED还共同包括形成于所述蓝光空穴传输层、绿光发光层、及红光发光层上的蓝光共同层、形成于所述蓝光共同层上的蓝光发光层、形成于所述蓝光发光层上的电子传输层、形成于所述电子传输层上的电子注入层、及形成于所述电子注入层上的阴极；

所述绿光发光层和红光发光层均为QLED发光层，所述蓝光发光层为OLED发光层。

所述基板为薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板、及设于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列。

所述蓝光发光层的材料包含蓝色有机小分子发光材料，所述蓝光发光层采用蒸镀成膜工艺制得。

所述绿光发光层和红光发光层的材料分别包含绿光量子点发光材料和红光量子点发光材料，所述绿光发光层和红光发光层均采用湿法成膜工艺制得。

所述蓝光发光层的膜厚为5nm至50nm；