[发明专利]一种AlGaInP发光二极管有效
| 申请号： | 201610276669.2 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105742433B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 郑元宇;郑建森;伍明跃;周启伦;邱财华;罗宵;林峰;李水清;吴超瑜;蔡坤煌 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algainp 发光二极管 | ||
1.一种AlGaInP发光二极管，从下至上依次包括衬底，DBR反射层，N型半导体层，量子阱发光层，P型半导体层，过渡层和P型电流扩展层，其特征在于：所述DBR反射层采用多谱掺杂，包括第一DBR反射层，第二DBR反射层，第三DBR反射层，第一DBR反射层掺杂浓度高于第二DBR反射层，第二DBR反射层掺杂浓度高于第三DBR反射层；所述P型半导体层包括与量子阱发光层相邻的第一P型半导体层以及与过渡层相邻的第二P型半导体层组成，所述第二P型半导体层的掺杂浓度小于所述第一P型半导体层。
2.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的面积不超过50mil2，驱动电流大于等于100mA的条件下，以提升老化性能。
3.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述第三DBR反射层掺杂浓度介于2×1018~1×1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述第一DBR反射层反射波段在700-750nm，第二DBR反射层反射波段在650-700nm，第三DBR反射层反射波段在600-650nm。
5.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述第一DBR反射层对数介于2-7对，第二DBR反射层对数介于6-12对，第三DBR反射层对数介于13-20对。
6.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述第二P型半导体层的掺杂浓度为所述第一P型半导体层的掺杂浓度的40%~80%。
7.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述第一P型半导体层的掺杂浓度为0.7×1018~1.5×1018cm-3，第二P型半导体层的掺杂浓度为0.28×1018~1.2×1018cm-3。
8.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述第二P型半导体层的厚度为所述第一P型半导体层的厚度的10%~30%。
9.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述第一P型半导体层的厚度介于0.3-1.0μm之间，第二P型半导体层的厚度介于0.03-0.3μm之间。
10.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述过渡层的掺杂浓度介于1.5×1018~4.0×1018cm-3。
11.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管，其特征在于：所述过渡层采用AlxGayIn1-x-yP材料，各组分渐变生长，0 <x<1，0<y<1，x+y<1。
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