[发明专利]封装件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种封装件及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供管芯，所述管芯包括：具有电路的衬底；在所述衬底上的第一钝化层；在所述第一钝化层上的多个焊盘；和在所述第一钝化层上并且覆盖所述多个焊盘的第二钝化层；对在所述多个焊盘外侧的所述第一钝化层上的第二钝化层进行刻蚀以形成沟槽；在形成沟槽后的管芯上形成有机聚合物，从而形成封装件。本发明实施例能够抑制焊盘上的第二钝化层产生裂纹。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装件及其制造方法。

背景技术

晶片级球栅阵列封装(Wafer Level Ball Grid Array Package，WLBGA)已成为先进的封装技术。由于能够节省体积，并且能满足最大接合需求，WLBGA已被广泛应用。

但是，本发明的发明人发现，在45nm和55nm工艺中，按照现有的WLBGA技术所形成的封装件存在如下问题：焊盘上的钝化层会由于有机聚合物引起的应力而产生裂纹，从而导致焊盘被腐蚀，使得芯片失效。这种问题是典型的芯片封装集成中存在的问题。

在更先进的封装工艺中，由于尺寸减小，薄膜应力变得相对更大并且热预算更高，从而使得上述问题可能会更严重。

因此，亟须一种方案能够抑制焊盘上的钝化层产生裂纹。

发明内容

本公开的一个实施例的目的在于提出一种封装件及其制造方法，能够抑制焊盘上的钝化层产生裂纹，以及提高封装件的可靠性和良品率。

根据本公开的一个实施例，提供了一种封装件的制造方法，包括：提供管芯(die)，所述管芯包括：具有电路的衬底；在所述衬底上的第一钝化层；在所述第一钝化层上的多个焊盘；和在所述第一钝化层上并且覆盖所述多个焊盘的第二钝化层；对在所述多个焊盘外侧的所述第一钝化层上的第二钝化层进行刻蚀以形成沟槽；在形成沟槽后的管芯上形成有机聚合物，从而形成封装件。

在一个实施方式中，所述多个焊盘包括第一焊盘，所述第一焊盘邻近衬底边缘，并且在所述第一焊盘和与之邻近的衬底边缘的方向上，所述第一焊盘相对于别的焊盘更靠近所述衬底边缘；所述对在所述多个焊盘外侧的所述第一钝化层上的第二钝化层进行刻蚀以形成沟槽包括：对在所述第一焊盘的最靠近所述衬底边缘的外侧的所述第一钝化层上的第二钝化层进行刻蚀以形成所述沟槽。

在一个实施方式中，所述焊盘使得所述第二钝化层覆盖所述焊盘的部分突出于与其相邻的所述第二钝化层的部分；所述沟槽距离所述第二钝化层的突出的部分一定距离。

在一个实施方式中，所述方法还包括：对所述有机聚合物进行固化处理。

在一个实施方式中，所述沟槽延伸到所述第一钝化层中。

在一个实施方式中，所述第一钝化层包括第一绝缘介质层、第二绝缘介质层和第三绝缘介质层的叠层；所述方法还包括：以所述第二绝缘介质层为蚀刻停止层对所述第一绝缘介质层进行刻蚀。

在一个实施方式中，所述沟槽为围绕所述电路的环状沟槽。

在一个实施方式中，所述环状沟槽至少为两个。

在一个实施方式中，所述管芯还包括在管芯边缘附近的围绕所述电路的密封件；所述沟槽位于所述焊盘和所述密封件之间。

在一个实施方式中，所述第一钝化层包括由氮化物层和氧化物层组成的叠层；所述第二钝化层包括由氮化物层和氧化物层组成的叠层。

根据本公开的另一个实施例，提供了一种封装件，包括：管芯，所述管芯包括：包括电路的衬底；在所述衬底上的第一钝化层；在所述第一钝化层上的多个焊盘；在所述第一钝化层上并且覆盖所述多个焊盘的第二钝化层；其中，在所述多个焊盘外侧的所述第一钝化层上的第二钝化层中形成有沟槽；在所述第二钝化层之上并填充所述沟槽的有机聚合物。