[发明专利]一种半导体处理装置及处理基片的方法

权利要求书

1.一种半导体处理装置，其特征在于，所述装置包括：

反应腔，包括由顶板及反应腔侧壁围成的密封的反应腔；

基片支撑装置，其设置于所述反应腔内的所述射频窗下方；

反应气体注入装置，其用于向所述反应腔内供应反应气体；

加热薄膜，紧邻所述顶板上表面设置，包括加热丝及包覆所述加热丝的绝缘材料层；

所述加热薄膜上设置开口，一排气装置通过所述开口将所述加热薄膜与所述顶板上表面间的气体排出，使所述加热薄膜在大气压强的作用下与所述顶板贴合在一起。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述开口与所述排气装置之间设置一连接头，所述连接头与所述开口之间密封设置。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述半导体处理装置还包括一射频功率发射装置，其设置于所述反应腔外部，以发射射频能量到所述反应腔内。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述顶板为绝缘材料构成的射频窗。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述加热丝为薄片状结构，所述薄片状加热丝厚度小于1mm。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述加热薄膜上设置若干个开口，每个开口连接一个连接头。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：所述若干个开口均匀分布在所述加热薄膜上。

8.如权利要求6所述的装置，其特征在于：所述若干个连接头分别连接一个排气装置或者连接同一个排气装置。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述加热薄膜的边缘区域设置密封部件，所述密封部件阻止加热薄膜边缘区域的气体进入所述加热薄膜与所述顶板之间。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于：所述密封部件上方设置压板。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述加热薄膜的边缘区域设置压板。

12.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述排气装置为真空泵或真空发生器。

13.一种在半导体处理装置内处理基片的方法，所述方法在上述权利要求1-12中任一项所述的反应腔内进行，所述方法包括下列步骤：

放置待处理基片于基片支撑装置上，向反应腔内提供反应气体；

向反应腔内施加射频功率将反应气体激发为等离子体；

在等离子体对基片进行处理过程中，保持排气装置对加热薄膜的开口抽真空，使得所述加热薄膜在大气压强的作用下与所述顶板紧密贴合。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：在所述加热薄膜的外围设置一压板，在所述排气装置对加热薄膜开口抽真空过程中，所述压板实现对加热薄膜和所述顶板边缘区域的密封设置。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：在所述压板与所述加热薄膜的边缘区域设置一密封环，所述压板施加压力于所述密封环以实现对加热薄膜和所述顶板边缘区域的密封设置。