[发明专利]差动传输线屏蔽结构

说明书

本发明属于集成电路后端中的屏蔽结构，差动传输线屏蔽结构，包括差动传输线，所述的差动传输线上设有若干屏蔽单元，所述的屏蔽单元包括上层材料、下层材料、连接柱，所述的上层材料设在差动传输线的上方，所述的下层材料设在差动传输线的下方，所述的差动传输线的左右两边设有连接柱，所述的上层材料、下层材料和连接柱构成闭合回路，所述的半导体衬底接地，本发明有益效果在于：能很好的保护差动传输线不受外界线路的电磁干扰，能消除差动传输线的内部电磁干扰，可以通过改变传输线保护单位的密度，调整达到需要的电路性能指标。

技术领域

本发明属于集成电路后端中的屏蔽结构。

背景技术

集成电路体积小性能好、同时便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用，已成为当代各行各业智能化工作的基石，但与此同时，电磁干扰现象给集成电路的可靠性提出了难题，集成电路设备在电磁干扰作用下的表现是多种多样的，主要表现是多种多样的，主要表现为降低技术性能指标，导致集成电路设备可靠性降低。常表现为语音系统语言清晰度差，图像信息系统清晰度降低、数字系统误码率正价、控制系统失控或误操作等；当发生电磁兼容性故障时，会给国防、工业、医疗、科研和交通运输等带来巨大的损失及生命安全。

电磁干扰三要素，即干扰源、干扰传播途径和敏感设备。电磁干扰的常用处理方法包括：屏蔽、接地、滤波和电路的布线措施，关于传输线屏蔽保护，有两种传统的方法。一种是分别在两条差动传输线的旁边耦合一条或多条平行于差动传输线的导电线路，导电线路与差动传输线在同一层金属层上，而且这些导电线路一般接在高电压或者低电压上。

申请号：201180018461.6的专利文献公开了用于传输线的屏蔽结构，一种屏蔽结构包括：第一梳状结构和第二梳状结构，限定于集成电路上的第一金属化层中，每个梳状结构包括多个齿，每个梳状结构的齿朝着另一齿状结构延伸；第一多个电传导过孔，从第一梳状结构向上延伸；第二多个电传导过孔，从第二梳状结构向上延伸；第一平面结构和第二平面结构，在第一金属化层之上的第二金属化层中；第三多个电传导过孔，从第一平面结构朝着第一多个电传导过孔向下延伸；以及第四多个电传导过孔，从第二平面结构朝着第二多个电传导过孔向下延伸。第一梳状结构和第二梳状结构、第一平面结构和第二平面结构以及第一电传导过孔、第二电传导过孔、第三电传导过孔和第四电传导过孔都在基本上相同电势。在一个实施例中，一个或者多个信号线在第一平面结构与第二平面结构之间位于第二金属化层中；并且在另一实施例中，它们位于第一金属化层与第二金属化层之间的第三金属化层中，但由于该屏蔽结构与传输线长程平行，容易发生传输线和屏蔽结构的寄生耦合。

发明内容

本发明解决上述问题，提供传输线屏蔽结构。

本发明的技术方案如下：差动传输线屏蔽结构，包括差动传输线，所述的差动传输线上设有若干屏蔽单元，所述的屏蔽单元包括上层材料、下层材料、连接柱，所述的上层材料设在差动传输线的上方，所述的下层材料设在差动传输线的下方，所述的差动传输线的左右两边设有连接柱，所述的上层材料、下层材料和连接柱构成闭合回路，所述的半导体衬底接地。

本发明的实现过程如下：当屏蔽单元周围存在电磁干扰时，所述的上层材料、下层材料为良导体，能将电磁场的电场部分屏蔽在屏蔽单元的外表面，根据电场的方向的不同，在屏蔽单元的外表面感应出与干扰电场相反的电场抵消干扰电场的作用，使屏蔽单元的内部的场强保持为零，于此同时对于差动传输线内部的发出的高频的电磁场，很容易在屏蔽单元上形成涡流，将电磁场的能量消耗殆尽，实现了对差动传输线完全屏蔽。

附图说明

图1为现有传输线保护技术结构示意图。

图2为现有传输线保护技术结构示意图。

图3为差动传输线屏蔽结构的主视图。

图4为差动传输线屏蔽结构的截面图。