[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底一表面形成第一保护层；

在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层；

去除所述第一保护层和硼硅玻璃后，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二保护层；

在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层；

去除所述第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在所述磷扩散层背离所述基底一侧形成第一钝化层，以及，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二钝化层；

在所述第一钝化层背离所述基底一侧形成正面电极并烧结后，得到所述太阳能电池；

其中，在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层为：

在扩散炉管中对所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层，其中，扩散工艺参数为：

所述扩散炉管中的温度范围为850℃～1000℃，包括端点值；

扩散时长范围为45min～110min，包括端点值；

对所述扩散炉管通入的氧气和氮气的流量比氧气流量：氮气流量的范围为1：20～1:5，包括端点值。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在形成所述正面电极的同时、且在所述烧结前，还包括：

在所述第二钝化层背离所述基底一侧形成背面电极。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在提供所述基底后、且在形成所述第一保护层前，还包括：

对所述基底进行表面抛光；

或者，将所述基底的表面制作为绒面。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在对所述基底进行表面抛光时，其中，在形成所述第二保护层后、且在制作所述磷扩散层前，还包括：

将所述基底背离所述硼扩散层的表面制作为绒面。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层为：

采用液态三氯氧磷扩散工艺对所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层，其中，扩散工艺参数为：

扩散温度范围为800℃～900℃，包括端点值；

扩散时长范围为30min～120min，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一保护层和/或第二保护层为第一氮化硅层；

以及，所述第一保护层和第二保护层的厚度范围为25nm～55nm，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层和/或第二钝化层为第二氮化硅层；

以及，所述第二氮化硅层的厚度范围为80nm～120nm，包括端点值。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二钝化层为氧化铝/氮化硅叠层；

以及，所述氧化铝/氮化硅叠层的厚度范围为70nm～90nm，包括端点值，且所述氧化铝/氮化硅叠层中氧化铝层的厚度范围为5nm～30nm，包括端点值，所述氧化铝/氮化硅叠层中氮化硅层的厚度范围为40nm～85nm，包括端点值。

9.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求1～8任意一项所述的太阳能电池的制作方法制作而成。