[发明专利]晶圆测试治具、晶圆动态测试治具以及晶圆测试方法有效
申请号: | 201610214859.1 | 申请日: | 2016-04-08 |
公开(公告)号: | CN107123607B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 李其昌;洪嘉和;魏嘉生 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 动态 以及 方法 | ||
本发明提供一种晶圆测试治具、晶圆动态测试治具以及晶圆测试方法,其包括承载盘以及定位机构。承载盘经配置以承载部分晶圆,其中部分晶圆包括多个芯片且为晶圆的部分。承载盘包括定位沟槽、第一侧以及相对第一侧的第二侧。定位沟槽设置在第一侧并适于容置部分晶圆的侧缘。定位机构设置在第二侧,并经配置以与定位沟槽共同夹持部分晶圆,可大幅节省测试前的准备与设定时间,进而增加晶圆测试的效率。
技术领域
本发明是有关于一种测试治具、动态测试治具以及测试方法,且特别是有关于一种晶圆测试治具、晶圆动态测试治具以及晶圆测试方法。
背景技术
晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Package,WLCSP)可满足电子产品对功耗、成本与轻薄短小等多项要求,尤其在微机电系统(Micro Electro MechanicalSystem,MEMS)元件应用日益普及下,更将成为晶圆级封装产业成长的主要推手,因而吸引晶圆制造与封测代工业者大举投入。
所谓晶圆级芯片尺寸封装是直接在晶圆上进行全部或大多数的封装测试程序后,再进行切割(Singulation)制成单颗元件,因此无须经过打线与填胶程序,而且封装后的芯片尺寸等同晶粒原来大小。然而,传统的晶圆级封装测试程序均无法满足须要做动态测试的微机电系统产品测试方面的需求,因此,业界便衍生出一种将切割后的芯片置于特殊长条状载盘上,再将之置放在特殊的动态测试机台上进行最终测试(Final Test)的方式。
然而,此动态测试机台的设备昂贵,且需购入多种配合的机台,例如:承载机台(loader)、传送机台(handler)、测试机台(tester)以及卸载机台(unloader)等等,方能组织一条生产线,并且,配合的特殊载盘所能承载的晶粒数量太少,而测试前的准备与设定时间也过长,上述等问题皆使得目前的动态测试方法的产能难以提升,成本也难以降低,因而让目前的动态测试方法在量产上处处充满瓶颈。
发明内容
本发明提供一种晶圆测试治具、晶圆动态测试治具以及晶圆测试方法,其可进行批次测试、有效提升一般晶圆测试以及动态测试的效率以及降低其测试的成本。
本发明的一种晶圆测试治具,其包括承载盘以及定位机构。承载盘经配置以承载部分晶圆,其中部分晶圆包括多个芯片且为晶圆的部分。承载盘包括定位沟槽、第一侧以及相对第一侧的第二侧。定位沟槽设置于第一侧并适于容置部分晶圆的侧缘。定位机构设置在第二侧,并经配置与定位沟槽共同夹持部分晶圆。
在本发明的一实施例中,上述的定位机构包括具有弹性的推抵件,推抵件设置在第二侧并凸出于第二侧。
在本发明的一实施例中,上述的推抵件包括至少一推抵斜面,部分晶圆包括弧形侧缘,其适于抵靠推抵斜面,使推抵件受压迫而推抵部分晶圆往第一侧移动以与定位沟槽卡合。
在本发明的一实施例中,上述的至少一推抵斜面的数量为多个,弧形侧缘适于抵靠推抵斜面的其中之一。
在本发明的一实施例中,上述的定位机构包括推抵件,枢设在第二侧,以移动于初始位置以及夹持位置之间。
在本发明的一实施例中,上述的推抵件包括彼此连接的枢接端以及推抵端,枢接端弹性枢接在第二侧,当推抵件在初始位置时,推抵端凸出于第二侧。
在本发明的一实施例中,上述的部分晶圆适于抵靠推抵端,使推抵端推抵部分晶圆往第一侧移动以与定位沟槽卡合。
在本发明的一实施例中,上述的承载盘包括承载底板以及框架,框架框围承载底板的边缘,以与承载底板共同定义出容置空间,部分晶圆设置在容置空间内。
在本发明的一实施例中,上述的定位沟槽设置在框架的第一侧上。
在本发明的一实施例中,上述的定位机构可动地设置在框架的第二侧上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司,未经南茂科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610214859.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体生产方法
- 下一篇:一种太阳能电池制程金属离子污染检测方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造