[发明专利]使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠，以及其形成工艺有效
| 申请号： | 201610182528.4 | 申请日： | 2011-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105590913B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | J·古扎克;R·K·纳拉;J.索托冈萨雷斯;D·德莱尼;S·波素库奇;M·玛莫迪亚;E·扎波科;J·斯旺 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/538;H01L25/03 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 包括 嵌入式 管芯 内建非 凹凸 衬底 硅通孔 堆叠 及其 形成 工艺 | ||
1.一种微电子器件，包括：
包括设置在其中的硅通孔的第一管芯(第一TSV管芯)；其中所述第一TSV管芯电连接到衬底并嵌入在所述衬底的第一电介质层中；所述第一TSV管芯包括有源表面和背侧表面；以及其中设置在所述衬底中的至少一条迹线通过设置在所述衬底的第一电介质层内的填充通孔连接到所述第一TSV管芯有源表面上的至少一个管芯结合盘；以及
与所述第一TSV管芯接触且包括设置在其中的硅通孔的第二管芯(第二TSV管芯)；其中所述第二TSV管芯的至少一个硅通孔与所述第一TSV管芯的至少一个硅通孔电接触。
2.如权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，还包括形成在所述第一TSV管芯的有源表面上的金属化物。
3.如权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，还包括形成在所述第二TSV管芯的有源表面上的金属化物。
4.如权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第一TSV管芯包括存储器设备。
5.如权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，还包括与所述第二TSV管芯接触且包括设置在其中的硅通孔的第三管芯(第三TSV管芯)；其中所述第三TSV管芯的至少一个硅通孔与所述第二TSV管芯的至少一个硅通孔电接触。
6.如权利要求5所述的微电子器件，其特征在于，还包括与所述第三TSV管芯接触且包括设置在其中的硅通孔的第四管芯(第四TSV管芯)；其中所述第四TSV管芯的至少一个硅通孔与所述第三TSV管芯的至少一个硅通孔电接触。
7.如权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，还包括通过所述第二TSV管芯电连接到所述第一TSV管芯的后续管芯。
8.如权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第一TSV管芯和所述第二TSV管芯是下述之一的一部分：蜂窝电话、寻呼机、手持式阅读器、便携式计算机、台式计算机以及双向无线电设备。
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