[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201610179793.7 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105629587A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 范宇光;李京鹏;李建;覃一锋;李伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗瑞芝;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阵列基板上方涂覆取向材料，涂覆的区域包括阵列基板的 显示区和位于显示区外围的电极区；
对取向材料进行取向；
将取向后的阵列基板与取向后的彩膜基板进行对盒；
切割对盒后的阵列基板与彩膜基板，形成显示面板单元，每 一显示面板单元中，阵列基板的电极区未被彩膜基板覆盖；
去除阵列基板的电极区上方覆盖的取向材料，露出电极区。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于， 所述在阵列基板上方涂覆取向材料的步骤中，所述取向材料为聚 酰亚胺材料。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于， 所述去除阵列基板的电极区上方覆盖的取向材料的步骤，包括采 用离子刻蚀法去除电极区上方覆盖的取向材料，其中：所述离子 刻蚀法的工程参数包括：功率范围：220-280W；Ar流速范围： 3-13Lpm；O2流速范围：0.028-0.035Lpm；处理时长范围：15-25 Sec。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于， 所述离子刻蚀法的工程参数采用：功率：220W；Ar流速：7Lpm； O2流速：0.035Lpm；处理时长：15Sec。
5.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于， 所述去除阵列基板的电极区上方覆盖的取向材料的步骤，包括采 用化学刻蚀法刻蚀电极区上方覆盖的取向材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于， 所述采用化学刻蚀法刻蚀电极区上方覆盖的取向材料的步骤之 前，还包括：采用封胶的方式或吸盘的方式覆盖所述阵列基板的 显示区。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于， 所述化学刻蚀法中的刻蚀溶液包含肼类物质或者氢氧化溶液。
8.根据权利要求1-7任一所述的显示面板的制备方法，其特 征在于，所述在阵列基板上方涂覆取向材料的步骤，包括采用凸 版印刷法、喷射印刷法或丝网印刷法中任一种方法涂覆取向材料。
9.根据权利要求1-7任一所述的显示面板的制备方法，其特 征在于，所述对取向材料进行取向的步骤，包括采用摩擦取向工 艺或光取向工艺对取向材料取向。
10.一种显示面板，其特征在于，采用权利要求1-9任一所述 的显示面板的制备方法制备，所述阵列基板的电极区未被所述彩 膜基板覆盖。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的显 示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610179793.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有仿生几何结构的耕作旋转工作部件
- 下一篇：有源分布式信号分离装置
