[发明专利]一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法

权利要求书

1.一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法，其特征在于具体步骤如下：

（1）准备微纳结构样品，其表面为光刻胶图形；

（2）将样品置于强热源下，有图形的一侧面向热源，另一侧置于一恒温冷却片上，使之恒定在室温状态；

（3）热处理较短时间后迅速取出，快速冷却；

（4）反复上述步骤（3）多次，直到达到预期的粗糙度等级。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述微纳结构样品的高度不超过10微米；光刻胶的玻璃化温度在90-120℃内。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述强热源采用功率为2000-3000W的电阻丝炉、250-350W的高热灯泡或250-1000mW的激光器，适用的样品大小依次变小，并且能使微纳结构样品表面快速达到玻璃化温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述恒温冷却片采用半导体制冷片。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述较短时间为15秒到1分钟，由不同的光刻胶、不同的热源决定。