[发明专利]一种量子点层的制备方法及含有量子点层的QLED显示装置、制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种量子点层的制备方法及含有该量子点层的QLED显示装置、制备方法，属于液晶显示器技术领域。

背景技术

量子点(Quantum dot)又称为纳米晶体(Nano crystal)，是指三个维度均在纳米量级(1nm-100nm)的纳米颗粒。由于量子局域效应，量子点具有不同于宏观物体材料的物理化学性质。量子点对于纳米材料结构的研究以及纳米材料和纳米器件的合成制备有极为重要的意义。

量子点发光二极管显示器(Quantum Dots Light Emitting Diode Displays,QLED)是基于有机发光显示器的基础上发展起来的一种新型显示技术。不同的是，其电致发光结构为量子点层。其原理为，电子通过电子传输层注入量子点层，空穴通过空穴传输层注入量子点层，电子和空穴在量子点中复合发光。与有机发光二极管显示器件相比，QLED具有发光峰窄、色彩饱和度高、色域宽等优点。

但是，QLED在应用过程中存在的一个重要的问题，就是量子点容易团聚而发生自淬灭现象、光效低、寿命短等问题。如何使QLED中量子点分散固定是目前QLED显示装置制备工艺中亟待解决的技术难题之一。

发明内容

本发明的目的是提供一种量子点层的制备方法及含有该量子点层的QLED显示装置、制备方法。利用阳极氧化铝模板制备得到的量子点层中量子点发光均匀，量子点发光亮度和寿命得到有效改善，从而使得含有该量子点层的QLED显示装置的发光效率明显提高。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种量子点层的制备方法，将阳极氧化铝模板(AAO)铺在衬底上，量子点通过撒入(drop in)的方式分散在阳极氧化铝模板中，将阳极氧化铝模板去除，得到量子点层，如图2所示。所得量子点层中量子点分散固定，不易团聚。

在上述述量子点层的制备方法中，可通过溶解的方式去除所述阳极氧化铝模板。

本发明所述的量子点层的制备方法中，所述阳极氧化铝模板是利用低浓度的酸液或碱液以浸泡方式去除的；其中，所述低浓度是指浓度为5％-10％；所述酸液优选盐酸或磷酸等；所述碱液优选NaOH溶液。

本发明所述阳极氧化铝模板可采用市售普通阳极氧化铝模板或者最广泛的电化学氧化-阳极氧化方法制得得到的阳极氧化铝模板。当然为了获得更好的效果，优选采用如下方法制备阳极氧化铝模板，如图1所示，具体步骤如下：

1)将铝片清洁，置于第一混合液中电抛光；

2)抛光后的铝片置于草酸溶液中进行第一次阳极氧化，得到第一模板；

3)将第一模板置于第二混合液中，水浴，将其表面已形成的氧化铝膜去除，再将第一模板置于草酸溶液中进行第二次阳极氧化，得第二模板；

4)将第二模板背面未氧化的铝置于饱和氯化铜溶液中发生置换反应，待铝全部被去除后，得到透明的第三模板；

5)利用磷酸对第三模板通孔，得到阳极氧化铝模板。

所述步骤1)中，所述第一混合液由无水乙醇和高氯酸以体积比4-1：1混合而得，优选4:1；经验证，按此比例配制的混合液可最大程度保证清洗效果。所述电抛光的电压为15-18V。

所述步骤2)中，所述草酸溶液的浓度为0.3-1mM，优选0.4mM；所述第一次阳极氧化的条件为：电压40-50V，处理时间3-4小时。

所述步骤3)中，所述第二混合液是由1.8W％的铬酸和6W％的磷酸混合制得的。采用此配方的混合液可有效除去第一次阳极氧化时结在Al表面的活性点。所述水浴温度为60-80℃。所述第二次阳极氧化的条件为：电压为20-50V，氧化时间为20min-48小时。通过二次阳极氧化，使铝片表面形成致密、电阻率很高的氧化铝层。

所述步骤5)中，所述磷酸的浓度为5-10W％；所述通孔时间为4-10小时。经磷酸处理后，在模板上得到孔径大小一致并且分布高度有序的纳米孔。在通孔过程中，可通过调节磷酸浓度和通孔时间控制孔径大小。采用上述方法得到的阳极氧化铝模板，其孔径在5-200nm范围内可控，孔径大小一致并且分布高度有序，如图1所示，有利于纳米材料及纳米器件的研究与合成。由图1可知，AAO的纳米孔洞整齐密集排列，高度有序，与模板的表面垂直且贯穿模板。孔与孔之间无交叉现象，孔径范围从几nm到几百nm，长度大约几十um。