[发明专利]一种量子点层的制备方法及含有量子点层的QLED显示装置、制备方法

权利要求书

1.一种量子点层的制备方法，其特征在于，将阳极氧化铝模板铺在衬底上，量子点通过撒入的方式分散在阳极氧化铝模板中，将阳极氧化铝模板去除，得到量子点层；

通过溶解的方式去除所述阳极氧化铝模板；

所述阳极氧化铝模板是利用低浓度的酸液或碱液以浸泡方式去除的；其中，

所述低浓度是指浓度为5％-10％；

所述酸液选自盐酸或磷酸；

所述碱液选择NaOH溶液；

所述阳极氧化铝模板采用如下方法制备：

1)将铝片清洁，置于第一混合液中电抛光；

2)抛光后的铝片置于草酸溶液中进行第一次阳极氧化，得到第一模板；

3)将第一模板置于第二混合液中，水浴，将其表面已形成的氧化铝膜去除，再将第一模板置于草酸溶液中进行第二次阳极氧化，得第二模板；

4)将第二模板背面未氧化的铝置于饱和氯化铜溶液中发生置换反应，待铝全部被去除后，得到透明的第三模板；

5)利用磷酸对第三模板通孔，得到阳极氧化铝模板。

2.根据权利要求1所述的量子点层的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述第一混合液由无水乙醇和高氯酸以体积比4-1：1混合而得；所述电抛光的电压为15V-18V。

3.根据权利要求1所述的量子点层的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述草酸溶液的浓度为0.3mM-1mM；所述第一次阳极氧化的条件为：电压40V-50V，处理时间3小时-4小时。

4.根据权利要求1所述的量子点层的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述第二混合液是由1.8W％的铬酸和6W％的磷酸混合制得的。

5.根据权利要求1所述的量子点层的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述第二次阳极氧化的条件为：电压为20V-50V，氧化时间为20分钟-48小时。

6.根据权利要求1所述的量子点层的制备方法，其特征在于，步骤5)中，所述磷酸的浓度为5W％-10W％；所述通孔时间为4小时-10小时。

7.一种QLED显示装置的制备方法，其特征在于，在空穴传输层上形成量子点层，所述量子点层采用如权利要求1-6任一项所述的量子点层的制备方法得到，所述衬底为空穴传输层。

8.根据权利要求7所述的QLED显示装置的制备方法，其特征在于，在所述空穴传输层和所述量子点层之间形成保护层。

9.根据权利要求8所述的QLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述保护层为p型掺杂保护层、n型掺杂保护层、各向异性导电层中的一种。