[发明专利]OLED显示面板以及OLED显示面板的制造方法有效
申请号: | 201610149683.6 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN107204352B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 张婷婷;黄秀颀;胡思明;朱晖;朱涛 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余毅勤 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 以及 制造 方法 | ||
本发明提供了一种OLED显示面板以及OLED显示面板的制造方法,包括扫描线、数据线和电源线VDD,所述扫描线和数据线定义了以矩阵方式排列的多个像素组,每个像素组内具有两个子像素,同一像素组内的两个子像素连接同一电源线VDD并沿该电源线VDD镜像排列,且同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上。一方面,可有效减少数据线之间发生短路的几率,且大幅度消除数据线之间的串扰;另一方面,也可基于现有设备和工艺条件缩小像素面积,提升OLED显示面板的PPI,提高OLED显示面板的分辨率。
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,特别涉及一种OLED显示面板以及OLED显示面板的制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展,人们对显示设备的需求日益增长。为了满足这种要求,各种平板显示装置如薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、等离子体显示器(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器都得到了迅猛的发展。在这些平板显示装置当中,OLED显示器由于具有主动发光、对比度高、响应速度快、轻薄等诸多优点,正在逐步占据平板显示的主导地位。目前,OLED显示器已经广泛应用于手机、电视、电脑以及智能手表等各种高性能显示领域中。
图1为传统的OLED显示面板的像素电路图。如图1所示,在现有的OLED显示面板中,最基本的像素电路包括开关晶体管T1、驱动晶体管T2和存储电容Cs,所述开关晶体管T1的栅极与扫描线Sn连接,所述开关晶体管T1的源极与数据线Dm连接,所述开关晶体管T1的漏极、驱动晶体管T2的栅极和存储电容Cs的第一基板均连接于节点N1,所述驱动晶体管T2的源极和存储电容Cs的第二基板均与第一电源VDD连接,所述驱动晶体管T2的漏极与所述有机发光二极管OLED的阳极连接,所述有机发光二极管OLED的阴极与第二电源VSS连接。通过扫描线Sn打开所述开关晶体管T1时,数据线Dm提供的数据电压经由所述开关晶体管T1存储到存储电容Cs,从而控制所述驱动晶体管T2产生电流,以驱动所述有机发光二极管OLED发光。
随着生活水平的不断提高和生产力水平的日益改进,市场对高清晰、高分辨率产品的追求也越来越迫切。然而,传统的OLED显示面板的分辨率一般在250PPI以下(PPI表示每英寸所拥有的像素数目,PPI数值越高,代表显示器能够以越高的像素密度显示图像),已经无法满足人们对于高分辨率显示器的追求。这是因为分辨率的提高要求同层间距比如相邻数据线之间的距离缩小,然而目前的OLED中相邻的像素单元的数据线通常设置在同一结构层上,基于现有的工艺条件(比如光刻机的曝光限制),很难进一步缩小相邻数据线之间的距离,从而导致OLED显示面板的分辨率难以提高。除了光刻机的曝光限制之外,数据线串扰和数据线短路也是生产高分辨率的OLED必须解决的技术难题。数据线串扰是指两条数据线之间的耦合,两条数据线之间的互感和互容会引起数据线出现噪声,研究表明,两条数据线上电流强度相同时,两条数据线间的距离越近,彼此之间的串扰效应越明显。数据线短路是指两条数据线之间彼此相连,使像素电极无法接收到正常信号而产生不良。在相同工艺条件下,两条数据线间的距离越近,彼此之间发生短路的几率越大。
发明内容
本发明的目的在于解决现有的有机发光显示器的分辨率低的问题。
本发明的另一目的在于消除有机发光显示器的数据线之间的串扰和短路现象。
为解决上述技术问题,本发明提供一种OLED显示面板,包括形成于一基板上的扫描线、数据线和电源线,所述扫描线和数据线定义了以矩阵方式排列的多个像素组,每个像素组内具有两个子像素,同一像素组内的两个子像素连接同一电源线并沿该电源线镜像排列,且同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上。
可选的,在所述的OLED显示面板中,每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素,所述第一子像素包括第一存储电容,所述第二子像素包括第二存储电容。
可选的,在所述的OLED显示面板中,所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的