[发明专利]互补型薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：

一基板，定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区；

一N型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，其 中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；及

一P型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，其 中所述P型半导体层包含一有机半导体材料。

2.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶 体管还包含一第一栅极层及一绝缘层，其中所述第一栅极层形成在所述基 板上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，所述绝缘层形成 在所述第一栅极层及所述基板上，其中所述N型半导体层及所述P型半 导体层形成在所述绝缘层上且彼此相间隔。

3.如权利要求2所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶 体管还包含一刻蚀阻挡层，形成在所述N型半导体层及所述绝缘层上且 位于所述N型晶体管区中。

4.如权利要求2或3所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄 膜晶体管还包含一电极金属层，形成在所述绝缘层上且位于所述N型晶 体管区及所述P型晶体管区中，其中所述电极金属层形成在所述N型半 导体层上，所述P型半导体层形成在所述电极金属层上。

5.如权利要求2或3所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄 膜晶体管还包含：一钝化层，形成在所述电极金属层及所述绝缘层上且位 于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中；及一第二栅极层，形成在 所述钝化层上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中。

6.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述N型半导体 层的金属氧化物材料选自于铟镓锌氧化物、铟锌氧化物或锌锡氧化物。

7.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述P型半导体 层的有机半导体材料选自于并五苯、三苯基胺、富勒烯、酞菁、苝衍生物 或花菁。

8.一种互补型薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：

一第一栅极层形成步骤，在一基板上定义相邻的一N型晶体管区及一P 型晶体管区，并将一第一栅极层形成在所述基板上并位于所述N型晶体 管区及所述P型晶体管区中；

一绝缘层形成步骤，将一绝缘层形成在所述第一栅极层及所述基板上；

一N型半导体层形成步骤，将一N型半导体层形成在绝缘层上且位于所 述N型晶体管区中，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；

一电极金属层形成步骤，将一电极金属层形成在所述N型半导体层及所 述绝缘层上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中；

一P型半导体层形成步骤，将一P型半导体层形成在所述绝缘层及所述 电极金属层上且位于所述P型晶体管区中，其中所述P型半导体层包含 一有机半导体材料，且所述N型半导体层及所述P型半导体层彼此相间 隔。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于：所述制造方法还包含在所述 N型半导体层形成步骤之后的一刻蚀阻挡层形成步骤，将一刻蚀阻挡层形 成在所述N型半导体层及所述绝缘层上且位于所述N型晶体管区中。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于：所述制造方法还包含在所述 P型半导体层形成步骤之后的一第二栅极层形成步骤，将一钝化层形成在 所述电极金属层及所述绝缘层上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶 体管区中，接着将一第二栅极层形成在所述钝化层上且位于所述N型晶 体管区及所述P型晶体管区中。