[发明专利]浮栅制备方法在审
| 申请号： | 201610107395.4 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105742170A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;孙天拓 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 方法 | ||
1.一种浮栅制备方法，其特征在于包括：
第一步骤：在硅片的隧道氧化层上执行浮栅层生长；
第二步骤：对浮栅层进行注入；
第三步骤：采用O2和N2来对硅片执行快速热退火，在浮栅层表面形成热氧化层；
第四步骤：去除对热氧化层；
第五步骤：对浮栅层进行研磨。
2.根据权利要求1所述的浮栅制备方法，其特征在于，在第三步骤中，O2流量为200sccm～600sccm，N2流量为20000sccm。
3.根据权利要求1或2所述的浮栅制备方法，其特征在于，在第三步骤中，O2流量为500sccm。
4.根据权利要求1或2所述的浮栅制备方法，其特征在于，在第三步骤中，退火时间为20～30秒，退火温度为950～1050摄氏度。
5.根据权利要求1或2所述的浮栅制备方法，其特征在于，第三步骤中形成的热氧化层的厚度在30A～40A之间。
6.根据权利要求1或2所述的浮栅制备方法，其特征在于，在第一步骤中，采用炉管的低压化学气相沉积方法制备浮栅层，其中反应温度为620摄氏度。
7.根据权利要求1或2所述的浮栅制备方法，其特征在于，在第二步骤中，通过对浮栅层进行注入来对浮栅层进行P掺杂；而且在第二步骤中，掺杂浓度为2E15～5E15之间，掺杂能量为10Kev～20Kev之间。
8.根据权利要求1或2所述的浮栅制备方法，其特征在于，在第四步骤中，首先采用稀释的氟化氢溶液进行清洗，再采用SC1标准液进行清洗，分别去除热氧层和硅片表面上的颗粒。
9.根据权利要求1或2所述的浮栅制备方法，其特征在于，在第五步骤中通过采用高选择比的化学机械研磨工艺对浮栅层进行研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
