[发明专利]一种具有垂直结构圆柱形导电沟道的场发射晶体管有效
| 申请号： | 201610102073.0 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105529356B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 吴胜利;沈志华;王晓;张劲涛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/76;H01L29/772 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 结构 圆柱形 导电 沟道 发射 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有垂直结构圆柱形导电沟道的场发射晶体管，其特征在于：包括从上至下依次垂直叠加的阴极(150)、栅极(210)和阳极(100)及在三层电极中间的两层阳极介质层(140)，三层电极及阳极介质层中间位置垂直蚀刻有圆柱形真空导电沟道，硅基底充当阳极(100)，其他电极及中间阳极介质层通过在硅基底上依次制作多层薄膜形成，通过控制各层薄膜厚度精确控制真空导电沟道的长度，多层薄膜通过化学气相沉积、磁控溅射局电子束蒸发工艺制备而成，各层薄膜总的厚度相加和电子在大气环境中的平均自由程相近或更小。
2.如权利要求1所述的具有垂直结构圆柱形导电沟道的场发射晶体管，其特征在于：阴极(150)采用Al、Mg、石墨烯、金刚石或者碳纳米管制成。
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