[发明专利]一种OLED器件及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201610096828.0 | 申请日: | 2016-02-22 |
公开(公告)号: | CN107104196B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 商金栋;杨靖哲;储培鸣;王承贤 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED器件,其特征在于,包括:
第一金属层;
接触绝缘层,设置在所述第一金属层之上;
第二金属层,设置在所述接触绝缘层之上;
其中,所述第二金属层和所述接触绝缘层之间还设置有粘性材料层,所述粘性材料层用以当所述接触绝缘层产生裂痕时,由所述粘性材料层填充所述裂痕;
还包括:
基板;
多晶硅层,设置于所述基板之上;
绝缘材料层,设置于所述多晶硅层和所述第一金属层之间;
其中,所述绝缘材料层中设置有通孔,所述第一金属层通过所述通孔与所述多晶硅层电连接。
2.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述粘性材料层包括有机光阻层。
3.如权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述有机光阻层的厚度为0.1~2μm。
4.如权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述粘性材料层还包括保护膜,且所述保护膜位于所述有机光阻层之上。
5.如权利要求4所述的OLED器件,其特征在于,所述保护膜的材质为氧化铟锡或氧化硅。
6.如权利要求4所述的OLED器件,其特征在于,所述保护膜的厚度为20~50nm。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一所述的OLED器件。
8.一种OLED器件的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
于所述基板之上形成多晶硅层;
于所述多晶硅层之上形成具有通孔的绝缘材料层;
于所述绝缘材料层之上形成第一金属层,使所述第一金属层通过所述绝缘材料层上的通孔与所述多晶硅层电性连接;
于所述第一金属层之上形成接触绝缘层;
于所述接触绝缘层之上形成粘性材料层,所述粘性材料层用以当所述接触绝缘层产生裂痕时,由所述粘性材料层填充所述裂痕;以及
于所述粘性材料层之上形成第二金属层。
9.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述于所述接触绝缘层之上形成粘性材料层的步骤包括:在所述接触绝缘层上形成有机光阻层。
10.如权利要求9所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述于所述接触绝缘层之上形成粘性材料层的步骤还包括:在所述有机光阻层上形成保护膜。
11.如权利要求8所述的OLED器件构的制备方法,其特征在于,形成所述粘性材料层与形成所述接触绝缘层的步骤采用相同的光罩。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择