[发明专利]纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置

权利要求书

1.一种纳米发光阵列，其中，该纳米发光阵列包括：

衬底；

下部电极，形成在所述衬底上；

纳米发光控制层，形成在所述下部电极上；

有机发光层，形成在所述纳米发光控制层上，所述纳米发光控制层对该有机发光层进行发光控制；以及

上部电极，形成在所述有机发光层上，

其中，所述衬底为柔性透明衬底或刚性透明衬底；以及

所述纳米发光控制层包括纳米线或纳米棒阵列和通过在所述纳米线或纳米棒阵列的间隙中填充透明介电材料形成的介电材料层，其中所述纳米线或纳米棒阵列的材料为压电材料。

2.根据权利要求1所述的纳米发光阵列，其中，所述压电材料为纤锌矿结构的材料。

3.根据权利要求1所述的纳米发光阵列，其中，所述压电材料为氮化镓、砷化镓或氧化锌。

4.根据权利要求1所述的纳米发光阵列，其中，所述纳米线或纳米棒阵列中每个阵列单元的直径范围为100nm到5um，纳米线或纳米棒的长度范围为1um至10um，相邻两个阵列单元之间的间隙范围为2um至200um。

5.根据权利要求1所述的纳米发光阵列，其中，所述透明介电材料为高分子聚合物或氧化硅。

6.根据权利要求1所述的纳米发光阵列，其中，所述有机发光层包括有机空穴传输层、有机电子阻挡层、有机发光本体层和有机电子传输层。

7.根据权利要求6所述的纳米发光阵列，其中，所述有机空穴传输层、所述有机电子阻挡层、所述有机发光本体层和所述有机电子传输层的材料均为有机半导体材料。

8.根据权利要求6所述的纳米发光阵列，其中，所述有机空穴传输层的材料为4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]，所述有机电子阻挡层的材料为4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述有机发光本体层的材料为1,3-二-9-咔唑基苯，以及所述有机电子传输层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。

9.根据权利要求6所述的纳米发光阵列，其中，所述有机发光本体层掺杂有有机荧光分子，所述有机荧光分子为三(2-苯基吡啶-C2,N)合铱(III)、三(1-苯基-异喹啉-C2,N)合铱(III)或者二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱。

10. 根据权利要求9所述的纳米发光阵列，其中，所掺杂的有机荧光分子的量为5 wt.%~ 8wt. %。

11.根据权利要求6所述的纳米发光阵列，其中，所述有机空穴传输层的厚度范围为150nm至250nm，所述有机电子阻挡层的厚度范围为5nm至15nm，所述有机发光本体层的厚度范围为30nm至100nm，所述有机电子传输层的厚度范围为30nm至100nm。

12.一种纳米发光装置，其中，该装置包括权利要求1-11中任一项所述的纳米发光阵列。

13.一种制造纳米发光阵列的方法，其中，该方法包括：

制备衬底；

在所述衬底上形成下部电极；

在所述下部电极上形成纳米发光控制层；

在所述纳米发光控制层上形成由该纳米发光控制层进行发光控制的有机发光层；以及

在所述有机发光层上形成上部电极，

其中，所述衬底为柔性透明衬底或刚性透明衬底；以及

在所述下部电极上形成纳米发光控制层包括：

利用光刻法在所述上部电极上形成点阵区域；

利用水热法在所述点阵区域中生长纳米线或纳米棒以形成纳米线或纳米棒阵列；以及

在所述纳米线或纳米棒阵列的间隙中填充透明介电材料形成介电材料层。