[发明专利]SOC芯片漏电流的分档自动测试装置及方法

说明书

本发明提供一种SOC芯片漏电流的分档自动测试装置及方法，包括场景设置存储单元、门阀值存储单元、扫描控制模块、电流判断单元、EFUSE烧写控制单元、EFUSE电路单元；所述场景设置存储单元连接扫描控制模块；门阀值存储单元连接电流判断单元；扫描控制模块通过钳位有效控制信号线连接每个电源域的钳位单元环，通过关电控制信号线连接每个电源域的MTCOMS电源开关环；扫描控制模块还连接测试模式信号及所述电流判断单元；每个钳位单元环均通过一电流计连接电流判断单元；电流判断单元、EFUSE烧写控制单元、EFUSE电路单元依次连接。本发明是在CP测试阶段对芯片进行测试,以对每个电源域进行单独测试并记录。

技术领域

本发明涉及一种SOC芯片漏电流的分档自动测试装置及分档自动测试方法。

背景技术

漏电流是PN结在截止时流过的很微小的电流。在D-S设在正向偏置，G-S反向偏置，导电沟道打开后，D到S才会有电流流过。但实际上由于自由电子的存在，自由电子的附着在SIO2和N+、导致D-S有漏电流。通俗解释就是在芯片通电但是没有工作的状态下,由于PN结本身的电气特性仍然会产生一定的漏电流,在芯片规模较小时，漏电流很小,随着芯片规模快速增大,当前的漏电流已经达到很可观的程度。

随着SOC芯片规模的逐步扩大,SOC芯片的漏电流也越来越被关注。在芯片规模较小时，漏电流很小,随着芯片规模快速增大,当前的漏电流已经达到很客观的程度，由于很多移动设备对芯片漏电流功耗要求很高,因此如何在测试过程中筛选出漏电流较大的芯片是很重要的。

当前芯片的测试方法通常是在芯片封装完成后,放到PCB板上,通过控制复位脚有效让芯片处于不工作状态,测试测试电流源的功耗来测试漏电流，这种方法的缺点很明显：

1.发现问题的时间过晚,此时芯片已经完成了封装,如果发现问题芯片报废就浪费了封装费用；

2.只能全芯片测试漏电流,不能分开精细到每个芯片的电源域进行测试,如果发现漏电流大,无法定位大电流的问题电流位置,也就不能反馈到芯片生产厂进行针对性的优化处理；

3.测试工作人工完成，无法自动完成,引入了风险和加大了工作量。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种SOC芯片漏电流的分档自动测试装置及方法,在CP测试阶段对芯片进行测试,可以对芯片的每个电源域进行单独测试并记录，并自动输出测试结果。

本发明装置是这样实现的：一种SOC芯片漏电流的分档自动测试装置，所述SOC芯片具有复数个电源域，每个电源域外设有一MTCMOS电源开关环，每个MTCMOS电源开关环外设有一钳位单元环，所述分档自动测试装置包括场景设置存储单元、门阀值存储单元、扫描控制模块、电流判断单元、EFUSE烧写控制单元、EFUSE电路单元；

所述场景设置存储单元连接扫描控制模块；所述门阀值存储单元连接电流判断单元；

所述扫描控制模块通过钳位有效控制信号线连接每个所述钳位单元环，通过关电控制信号线连接每个所述MTCMOS电源开关环；并通过复位控制信号线连接到对应电源域电路中所有寄存器单元的复位控制端；

所述扫描控制模块还连接测试模式信号及所述电流判断单元；

每个所述钳位单元环均通过一电流计连接所述电流判断单元；

所述电流判断单元、EFUSE烧写控制单元、EFUSE电路单元依次连接；且所述电流判断单元还输出漏电流过高电源域指示位信号。

进一步的，所述场景设置存储单元存储需要测试的功耗场景个数和每个功耗场景下所有电源域的开关情况；所述门阀值存储单元存储各个低功耗场景下的漏电流门阀值，当芯片在该功耗场景下的漏电流超过该值，则表示芯片在该低功耗场景下的功耗值超标。