[发明专利]一种氧缺陷半导体二氧化氮气敏涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201610076223.5 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105738424A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张超;耿欣;王杰;尤佳骏;李大玉;肖金坤 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 南京中新达专利代理有限公司 32226 | 代理人： | 孙鸥;朱杰 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 半导体 二氧化氮 涂层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧缺陷半导体二氧化氮气敏涂层的制备方法，其特征在于如下步骤：
(1)采用氧化铝Al2O3或经过表面氧化处理的单晶硅片Si作为绝缘基体；
(2)通过丝网印刷、溅射、蒸镀或喷涂方法在绝缘基体正面制备叉指型电极和接线端；
(3)称取无机盐粉末溶于去离子水或有机溶剂中，利用搅拌装置搅拌得到均匀溶液作为前驱体；
(4)将前驱体通过非雾化喷嘴送入到由等离子喷枪产生的焰流；
(5)前驱体溶液经过蒸发、分解、成核、加热和加速，以熔融粒子撞击在叉指型电极正上方制备得到半导体气敏涂层。
2.根据权利要求1所述的一种氧缺陷半导体二氧化氮气敏涂层的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中将绝缘基体清洗并干燥。
3.根据权利要求1所述的一种氧缺陷半导体二氧化氮气敏涂层的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中无机盐粉末为乙酸锌或钨酸铵。
4.根据权利要求1所述的一种氧缺陷半导体二氧化氮气敏涂层的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中搅拌装置为磁力搅拌器。
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