[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法以及液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201610069026.0 申请日: 2016-02-01
公开(公告)号: CN105511188A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 房耸;井晓静;蒋隽;李红侠 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 姚远达;刘锋
地址: 215301 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制作方法 以及 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板和阵列基板的制作方法以及 采用该阵列基板的液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,LCD)具有画质好、体积小、重量 轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的有点,目前在平板显示领 域占主导地位。

图1示出了现有的一种液晶显示装置的剖视图,如图所示,包括阵列基板10’、 与阵列基板10’相对设置的彩色滤光基板20’以及夹置在阵列基板10’和彩色滤光基 板20’之间的液晶层30’。彩色滤光基板20’包括面向阵列基板表面的第二透明基板 201’、彩色滤光膜202’、第二公共电极203’和第二平坦层204’。阵列基板10’包括第 一透明基板101’,位于第一透明基板101’上的栅极102’,覆盖栅极102’以及整个第 一透明基板101’的栅极绝缘层103’,形成于栅极绝缘层103’上的有源层104’,位于 有源层104’上的源极105’和漏极106’,覆盖栅极绝缘层103’、有源层104’、源极105’ 和漏极106’的第一钝化层1091’,覆盖第一钝化层1091’的第一平坦层107’,形成于 第一平坦层107’上的第一公共电极110’,覆盖第一公共电极110’和第一平坦层107’ 的第二钝化层1092’以及形成于第二钝化层1092’上的像素电极108’,还设置有导通 孔111’,导通孔111’依次穿过第二钝化层1092’、第一平坦层107’和第一钝化层 1091’,像素电极108’穿过导通孔111’与源/漏极连接。此种结构的液晶显示装置由 于导通孔111’的存在占据了大部分开口区面积,降低开口率,影响穿透率。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种功耗低、开口率高的阵列基板。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

一种阵列基板,包括:

第一透明基板;

位于所述第一透明基板上的栅极;

覆盖所述栅极以及整个第一透明基板的第一绝缘层;

形成于所述第一绝缘层上的有源层,所述有源层与所述栅极位置对应;

位于有源层上的源极和漏极;

位于所述第一绝缘层、源极、漏极以及有源层之上的第二绝缘层;

形成在所述第二绝缘层上的像素电极,所述像素电极与所述源极相连,所述第 二绝缘层上设置有开口,在所述第二绝缘层中至少所述像素电极与所述源极的连接 处以及所述源极与漏极之间的沟道位置经所述开口露出;

覆盖在所述像素电极、源极、漏极、有源层以及第二绝缘层上的钝化层;

形成在钝化层上的公共电极。

优选地,在所述第二绝缘层中,所述源极、漏极以及有源层均经所述开口露出。

优选地,所述钝化层与所述沟道相接触且将所述沟道覆盖。

优选地,所述像素电极的端部搭接于所述源极的端部之上。

优选地,所述第二绝缘层的厚度为至

另一方面,本发明还提供了一种阵列基板的制作方法,制成的阵列基板功耗低、 开口率高。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

一种阵列基板的制作方法,包括:

提供第一透明基板,在所述第一透明基板上形成栅极金属层,并刻蚀形成栅极 和扫描线;

形成覆盖在所述栅极金属层和所述第一透明基板上的第一绝缘层;

在所述第一绝缘层表面形成有源层,所述有源层与所述栅极相对应;

形成覆盖所述有源层的数据线金属层,刻蚀所述数据线金属层,形成源极、漏 极和数据线;

形成覆盖在第一绝缘层、源极、漏极以及有源层之上的第二绝缘层,在第二绝 缘层上形成开口,使得所述第二绝缘层中至少所述源极的部分结构以及所述源极与 漏极之间的沟道位置经所述开口露出;

在所述第二绝缘层表面形成像素电极,并使得所述像素电极与所述源极的露出 部分连接;

形成覆盖所述数据线金属层、所述像素电极、所述有源层以及所述第二绝缘层 的钝化层;

在所述钝化层上形成公共电极。

优选地,形成于所述第二绝缘层上的所述开口使得所述源极、漏极以及有源层 露出。

优选地,所述第二绝缘层为平坦层,采用有机绝缘材料。

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