[发明专利]液晶显示面板、TFT基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶技术领域，特别是涉及一种液晶显示面板、TFT基 板及其制造方法。

背景技术

液晶显示面板是目前使用最广泛的一种平板显示面板，其已经逐渐 成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算 机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用且具有高分辨率彩色屏幕的显示 面板。随着液晶显示面板技术的发展进步，人们对液晶显示面板的显示 品质、外观设计、低成本和高穿透率等提出了更高的要求。

而低功耗及超薄的液晶显示面板也成为显示技术领域的潮流。如图 1所示，目前显示领域中的液晶显示面板的TFT基板(薄膜晶体管阵列 基板)包括衬底基板11、设置在衬底基板11上的第一金属层12、设置 在第一金属层12上的绝缘层13、设置在绝缘层13上的半导体材料层 14以及设置在半导体材料层14上的第二金属层15。由于第一金属层12 设置在衬底基板11上以及绝缘层13设置在第一金属层12上，使得TFT 基板的厚度相对较高，不利于实现超薄化液晶显示面板；且第一金属层 12边角区域的绝缘层13的膜质较差，易于被驱动电压击穿，也会影响 液晶显示面板的显示品质。

综上所述，有必要提供一种液晶显示面板、TFT基板及其制造方法 以解决上述问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板、TFT基板及 其制造方法，能够实现超薄化液晶显示面板，提升液晶显示面板的显示 品质。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种TFT 基板的制造方法，该方法包括：在衬底基板设置凹槽；在凹槽中填充金 属材料以形成第一金属层，其中第一金属层作为TFT基板的栅极；在第 一金属层和衬底基板上设置绝缘层；在绝缘层上依次设置半导体材料层 和第二金属层，其中，第二金属层形成TFT基板的漏极和源极，半导体 材料层设置于漏极和栅极之间。

其中，第一金属层的厚度小于或等于凹槽的深度。

其中，第一金属层的厚度与凹槽的深度的差值范围为0-20nm。

其中，在衬底基板设置凹槽的步骤包括：在衬底基板上涂抹光刻胶； 利用干刻工艺或湿刻工艺刻蚀衬底基板中未涂抹光刻胶的区域，以形成 凹槽。

其中，在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层的步骤包括：通过 磁控溅射工艺或者热蒸镀工艺在凹槽上沉积金属材料；将衬底基板浸泡 在去胶液中，以通过去胶液去除涂抹在衬底基板上的光刻胶，从而在凹 槽中形成第一金属层。

其中，在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层的步骤包括：将衬 底基板浸泡在去胶液中，以通过去胶液去除涂抹在衬底基板上的光刻 胶；通过喷墨打印工艺在凹槽中滴入金属导电墨水，以在凹槽中形成第 一金属层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种 TFT基板，其包括：衬底基板，设置有凹槽；设置在衬底基板上的第一 金属层，其中，第一金属层设置在凹槽中，第一金属层为TFT基板的栅 极；设置在第一金属层和衬底基板上的绝缘层；依次设置在绝缘层上的 半导体材料层和第二金属层，其中，第二金属层形成TFT基板的漏极和 源极，半导体材料层设置于漏极和栅极之间。

其中，第一金属层的厚度小于或等于凹槽的深度。

其中，第一金属层的厚度与凹槽的深度的差值范围为0-20nm。

为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种 液晶显示面板，该液晶显示面板包括上述任一项的TFT基板。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的TFT基板 的制造方法包括：在衬底基板设置凹槽；在凹槽中填充金属材料以形成 第一金属层；在第一金属层和衬底基板上设置绝缘层；在绝缘层上依次 设置半导体材料层和第二金属层。通过上述方式，本发明通过将第一金 属层设置在衬底基板内，能够降低TFT基板的厚度，有利于实现超薄化 液晶显示面板；同时，由于第一金属层设置在衬底基板内，第一金属层 上方的边角区域的绝缘层的厚度保持一致，不容易被驱动电压击穿，有 效提升液晶显示面板的显示品质。

附图说明

图1是现有技术TFT基板的结构示意图；

图2是本发明TFT基板的第一实施例的结构示意图；

图3是本发明TFT基板的第二实施例的结构示意图；

图4是本发明TFT基板的制造方法的流程示意图；