[发明专利]液晶显示面板、TFT基板及其制造方法在审
申请号: | 201610064926.6 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105552025A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 谢应涛 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 梁恺峥 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 tft 及其 制造 方法 | ||
1.一种TFT基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板设置凹槽;
在所述凹槽中填充金属材料以形成第一金属层,其中所述第一金属 层作为所述TFT基板的栅极;
在所述第一金属层和所述衬底基板上设置绝缘层;
在所述绝缘层上依次设置半导体材料层和第二金属层,其中,所述 第二金属层形成所述TFT基板的漏极和源极,所述半导体材料层设置于 所述漏极和所述栅极之间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一金属层的厚 度小于或等于所述凹槽的深度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一金属层的厚 度与所述凹槽的深度的差值范围为0-20nm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板设置 凹槽的步骤包括:
在所述衬底基板上涂抹光刻胶;
利用干刻工艺或湿刻工艺刻蚀所述衬底基板中未涂抹所述光刻胶 的区域,以形成所述凹槽。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述凹槽中填充金 属材料以形成第一金属层的步骤包括:
通过磁控溅射工艺或者热蒸镀工艺在所述凹槽上沉积所述金属材 料;
将所述衬底基板浸泡在去胶液中,以通过所述去胶液去除涂抹在所 述衬底基板上的光刻胶,从而在所述凹槽中形成所述第一金属层。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述凹槽中填充金 属材料以形成第一金属层的步骤包括:
将所述衬底基板浸泡在去胶液中,以通过所述去胶液去除涂抹在所 述衬底基板上的光刻胶;
通过喷墨打印工艺在所述凹槽中滴入金属导电墨水,以在所述凹槽 中形成所述第一金属层。
7.一种TFT基板,其特征在于,所述TFT基板包括:
衬底基板,设置有凹槽;
设置在所述衬底基板上的第一金属层,其中,所述第一金属层设置 在所述凹槽中,所述第一金属层为所述TFT基板的栅极;
设置在所述第一金属层和所述衬底基板上的绝缘层;
依次设置在所述绝缘层上的半导体材料层和第二金属层,其中,所 述第二金属层形成所述TFT基板的漏极和源极,半导体材料层设置于漏 极和栅极之间。
8.根据权利要求7所述的TFT基板,其特征在于,所述第一金属 层的厚度小于或等于所述凹槽的深度。
9.根据权利要求8所述的TFT基板,其特征在于,所述第一金属 层的厚度与所述凹槽的深度的差值范围为0-20nm。
10.一种液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括如权 利要求7-9任一项所述的TFT基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造