[发明专利]液晶显示面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示面板领域，尤其涉及一种像素结构、显示装置及监测该像素结构 的电性的方法。

背景技术

液晶显示面板，尤其是主动式显示中，例如LCD，OLED，EPD等，在生产过程中， 或最终产品，常因电性异常，造成显示画面异常，色差等。但因为显示区域没有放置测试 键，难以及时监控电性是否异常，也不便于针对显示区域内的异常进行解析。

以传统AMLCD显示区域内的子像素为例，如图1，在基板10上依次设置栅极11、栅 极绝缘层12、半导体层13、源/漏极14、像素电极绝缘层15及像素电极16，所述像素电极 16穿过所述像素电极绝缘层15与源/漏极14中的源极或漏极电连接。栅极11、源/漏极14 中没有与像素电极16连接的源极或漏极被覆盖，并未裸露，不能够测量其表面电性。因此， 在显示区域没有办法进行实时测试栅极11、源/漏极14的电性，因此，难以实时监测TFT 电性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种像素结构、显示装置及监测该像素结构的电 性的方法，其能够在生产过程中实时的对栅极、源极及漏极进行电性监控，及时发现不良 产品，减少不良产品发生。

为了解决上述问题，本发明提供了一种像素结构，包括薄膜晶体管及设置在所述薄膜 晶体管表面的栅极引出部、源极引出部及漏极引出部，所述栅极引出部与所述薄膜晶体管 的栅极电连接，所述源极引出部与所述薄膜晶体管的源极电连接，所述漏极引出部与所述 薄膜晶体管的漏极电连接，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部可与外部测试装置 连接，以监测所述薄膜晶体管的电性。

进一步，所述源极引出部或漏极引出部其中之一为像素电极。

进一步，所述栅极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至栅极的第一通孔与所述栅极电 连接，所述源极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至源极的第二通孔与所述源极电连接， 所述漏极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯穿至漏极的第三通孔与所述漏极电连接。

进一步，所述薄膜晶体管为底栅结构。

进一步，所述薄膜晶体管包括所述栅极、覆盖所述栅极的第一绝缘层、设置在所述第 一绝缘层表面的半导体层，与所述半导体层接触的所述源极和漏极，覆盖所述第一绝缘层、 源极和漏极及半导体层的第二绝缘层，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部设置在 所述第二绝缘层表面。

进一步，所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部由氧化铟锡材料制成。

本发明还提供一种显示装置，包括上述的像素结构。

本发明还提供一种监测上述的像素结构的电性的方法，采用测试装置分别电连接至栅 极引出部、源极引出部及漏极引出部，并对栅极、源极及漏极进行电学测量，以实时监测 栅极、源极和漏极的电性。

进一步，所述测试装置具有多个探针，所述探针分别与所述栅极引出部、源极引出部 及漏极引出部接触，以实时监测栅极、源极和漏极的电性。

本发明的优点在于，在像素结构内设置栅极引出部、源极引出部及漏极引出部，使得 栅极、源极及漏极能够与外部电连接，电性测试的探针可与栅极引出部、源极引出部及漏 极引出部直接接触，进行量测，从而可以在生产过程中实时的电性监控，及时发现不良产 品，减少不良产品发生。

附图说明

图1是现有的像素结构示意图；

图2是本发明像素结构示意图；

图3是本发明监测该像素结构的电性的方法的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的像素结构、显示装置及监测该像素结构的电性的方法的 具体实施方式做详细说明。

参见图2，在本具体实施方式中，以常规的AMLCD显示装置为例说明本发明像素结构。

本发明像素结构包括薄膜晶体管及设置在所述薄膜晶体管表面的栅极引出部22、源极 引出部23及漏极引出部24。进一步，所述栅极引出部22、源极引出部23及漏极引出部24 由氧化铟锡材料制成。