[发明专利]一种混合阳离子钙钛矿及其制备方法在审
申请号: | 201610049228.9 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105702869A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 林柏霖;杨剑砺;曽李阳;喻妍;庞曜奇;李一婷 | 申请(专利权)人: | 上海科技大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 混合 阳离子 钙钛矿 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于光电材料技术领域,具体涉及一类新型的混合阳离子的钙钛矿。
背景技术
以甲胺基碘化铅化合物(CH3NH3PbI3)为代表的有机-无机杂化钙钛矿半导 体材料已然成为光伏领域的“明星”。其集高光吸收能力、高载流子迁移效率、 高发光效率及带隙可调节等优异性能于一身,应用领域逐渐扩展到发光二极管、 激光、荧光材料及热导材料。
钙钛矿是一种有机无机杂化材料,晶体为ABX3结构。在钙钛矿晶体中,B离 子位于立方晶胞的角顶,被6个X离子包围成配位八面体,一系列八面体以共顶 点方式在三维空间连接成周期性结构骨架。A离子则占据立方晶胞的中心,处在 八面体骨架产生的空隙中。其兼具了传统有机材料和无机材料的优点,包括了有 机材料(通式中的A)的结构多样性和易加工性以及无机材料(通式中的B,C) 的力学,介电和光电性质。
目前钙钛矿材料的研究集中在B(Pb,Sn,Ge)离子和X离子(I,Br,Cl) 的调控,对于A离子的调控很少。近年陆续有研究表明通过在甲胺中混杂其他较 大阳离子对于材料性质有很大的改善。如在钙钛矿电池中混杂苯乙胺可以增加器 件的空气稳定性和抗湿性;在钙钛矿电池中混杂5-氨基戊酸可以引导钙钛矿的 结晶方向,改善钙钛矿和基底的接触;在钙钛矿电池中混杂聚乙烯亚胺可以改进 钙钛矿的膜层质量,减少缺陷。尽管这些阳离子已被证实能改善钙钛矿材料的性 能,目前对于钙钛矿材料的研究仍然集中在A离子为甲胺离子或甲脒离子。能否 形成稳定的钙钛矿结构主要是由容差因子t决定。由于BX6配位八面体的结构限 制,小尺寸A离子才能嵌入钙钛矿的晶格中,大尺寸A离子则无法形成稳定的钙 钛矿。在钙钛矿材料的探究中,调控A离子制备不同配方的钙钛矿材料仍是一个 巨大的挑战。
发明内容
本发明提出一类新型的钙钛矿材料,以及提出一种自上而下的制备钙钛矿纳 米晶的工艺。目的是为了解决目前钙钛矿材料种类单一的缺点,从而显著丰富钙 钛矿材料的种类,为其应用在光电领域提供技术支持。
为了达到上述目的,本发明提供了一种混合阳离子钙钛矿,其特征在于,由 甲胺阳离子(CH3NH3+)、另一种有机胺阳离子或NH4+、金属阳离子和卤素阴离子按 照一定的配比组成。
优选地,所述的另一种有机胺阳离子为碱性含氮有机胺。
优选地,所述的另一种有机胺阳离子为脂肪胺、醇胺、酰胺、脂环胺、芳香 胺、萘系胺和聚合物胺中的至少一种。
优选地,所述的另一种有机胺阳离子上包含m个N原子,m为大于等于1的 整数,N原子上连接有2或3个H,对应地,N原子上还连接有2或1个其它基 团,其它基团可以为烷基、芳基、羧基取代的烷基、羟基取代的烷基、或者磷酸 基取代的烷基。
本发明还提供了上述的混合阳离子钙钛矿的制备方法,其特征在于,包括:
步骤1:将甲胺溶液和卤化氢溶液在0-10℃下搅拌反应1-3小时,旋转蒸发 去除溶剂,提纯,干燥,得到甲胺盐;
步骤2:将氨水、另一种有机胺或另一种有机胺的溶液和卤化氢溶液在0-10 ℃下搅拌反应1-3小时,旋转蒸发去除溶剂,提纯,干燥,得到卤化氨或另一种 有机胺盐;
步骤3:将甲胺盐、卤化氨或另一种有机胺盐和金属卤化物加入到研钵中研 磨30-60分钟,研磨完毕后收集样品,得到混合阳离子钙钛矿。
优选地,所述的步骤1中的甲胺溶液为甲胺的乙醇溶液,甲胺的质量浓度为 27%-32%。
优选地,所述的步骤1中的卤化氢溶液的质量浓度为55%-58%。
优选地,所述的步骤1和步骤2中的卤化氢溶液为氢碘酸。
优选地,所述的步骤1中的卤化氢溶液中的卤化氢与甲胺溶液中的甲胺的物 质的量的比为m∶1,m为大于等于1的整数。
优选地,所述的步骤1中的提纯方法为重结晶,包括:先将旋转蒸发得到的 固体重新溶解在无水乙醇中,再加入乙醚使白色沉淀析出,过滤得到固体。
优选地,所述的步骤1和步骤2中的干燥为:在真空干燥箱中60℃干燥24 小时。
优选地,所述的另一种有机胺溶液的质量浓度为95%-100%,不包含100%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海科技大学,未经上海科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610049228.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择