[发明专利]一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法。

背景技术

量子点(quantumdot)由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。由于量子尺寸效应，量子点发光半峰宽很窄，因此具有极好的色纯度，将量子点材料制成量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiode，简称QLED)，可以实现比有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)显示器件更好的色域。

其中，以如图1所示的QLED为例，其可以包括衬底基板10、依次设置在衬底基板10上的阳极20、空穴传输层301、量子点层40、电子传输层501和阴极60。目前，当采用量子点作为QLED的发光层时，比较有量产可行性的图案化方式是喷墨打印。基于此，量子点需要溶解在非极性的有机溶剂中形成溶液，才可以进行打印。

然而，由于空穴传输层301为有机材料，在制作量子点层40时，会被非极性有机溶剂溶解，从而导致空穴传输层301被腐蚀以及量子点层40不平整，进而导致QLED的性能变差。

发明内容

本发明的实施例提供一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法，可避免位于量子点层下方的有机材料的功能层被腐蚀，使量子点层均匀成膜。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种QLED的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成第一电极、第一功能层、量子点层、第二功能层和第二电极，所述第一功能层采用有机材料制成；在形成所述第一功能层之后，形成所述量子点层之前，所述制备方法还包括：形成缓冲层，所述缓冲层的材料为极性有机溶剂；基于此，形成所述量子点层，包括：将包括量子点和非极性有机溶剂的溶液，采用喷墨打印方式形成在所述缓冲层上方；通过蒸发工艺，将溶剂蒸发掉，形成所述量子点层。

优选的，所述极性有机溶剂和所述非极性有机溶剂的沸点均小于200℃。

进一步优选的，所述极性有机溶剂包括醇类、醚类。

优选的，所述非极性有机溶剂包括烷烃、芳香烃。

基于上述，优选的，形成所述第一功能层，包括：采用喷墨打印方式在所述第一电极上方依次形成空穴注入层和空穴传输层。

进一步的，形成所述第二功能层，包括：采用喷墨打印方式在所述量子点层上方形成电子传输层。

第二方面，提供一种显示装置的制备方法，包括在衬底基板上形成位于每个子像素位置处的QLED，其中，所述子像素之间通过像素限定层隔离；所述QLED通过上述第一方面的制备方法形成。

优选的，在形成所述QLED中的第一电极之前，所述制备方法还包括：形成位于每个子像素位置处的薄膜晶体管。

第三方面，提供一种QLED，通过上述第一方面的制备方法形成。

第四方面，提供一种显示装置，通过上述第二方面的制备方法形成。

本发明的实施例提供一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法，通过在形成量子点层之前，形成极性有机溶剂的缓冲层，可在形成量子点层的过程中，溶解非极性有机溶剂，而使得量子点被萃取出来，沉积在第一功能层上，其中，由于非极性有机溶剂被缓冲层的极性有机溶剂溶解，可避免非极性有机溶剂对有机材料的第一功能层的腐蚀，因而可使量子点层均匀成膜，且可实现较好的膜层界面，从而提高了QLED的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中提供的一种QLED的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种制备QLED的流程示意图；

图3-6为本发明实施例提供的制备QLED的过程示意图；

图7为本发明实施例提供的一种QLED的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种QLED的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。

附图标记：