[发明专利]钙钛矿结构CH3NH3PbBr3纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿结构CH₃NH₃PbBr₃纳米线的制备方法，其特征在于，包 括制备CH₃NH₃PbBr₃的有机溶剂溶液，将CH₃NH₃PbBr₃的有机溶剂溶液铺 展在基底的亲水性表面进行有机溶剂的挥发；

挥发有机溶剂后的基底再进行退火处理即得CH₃NH₃PbBr₃纳米线。

2.如权利要求1所述的钙钛矿结构CH₃NH₃PbBr₃纳米线的制备方法， 其特征在于，所述的CH₃NH₃PbBr₃的有机溶剂溶液的浓度为0.001～3g/mL。

3.如权利要求1或2所述的钙钛矿结构CH₃NH₃PbBr₃纳米线的制备方 法，其特征在于，所述的退火处理的温度为30～80℃，退火时间为10～ 100min。

4.如权利要求1或2所述的钙钛矿结构CH₃NH₃PbBr₃纳米线的制备方 法，其特征在于，所述的制备CH₃NH₃PbBr₃的有机溶剂溶液包括：在20～ 50℃下将相同物质的量的PbBr₂和CH₃NH₃Br加入到有机溶剂中溶解即得。

5.如权利要求1或2所述的钙钛矿结构CH₃NH₃PbBr₃纳米线的制备方 法，其特征在于，将所述的基底与水平面成0～20°角放置，然后将 CH₃NH₃PbBr₃的有机溶剂溶液滴到基底的亲水性表面上，在20～50℃下静 置2～8h使有机溶剂挥发。

6.如权利要求1或2所述的钙钛矿结构CH₃NH₃PbBr₃纳米线的制备方 法，其特征在于，所述的有机溶剂为DMF或IPA。

7.如权利要求1或2所述的钙钛矿结构CH₃NH₃PbBr₃纳米线的制备方 法，其特征在于，所述的基底为玻璃基底、硅片基底、ITO玻璃基底或FTO 玻璃基底。

8.如权利要求1或2所述的钙钛矿结构CH₃NH₃PbBr₃纳米线的制备方 法，其特征在于，所述的基底的亲水性表面的处理方法包括：将基底依次 在去离子水、丙酮和无水乙醇中进行表面清洗处理后，再将清洗处理后的 表面通过紫外-臭氧清洗机处理10～60min使其形成亲水表面。