[发明专利]一种磁性器件及其制作方法在审
申请号: | 201610025096.6 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105679529A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 何海根;吴锦超;沈品帆;王永杰 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/18 | 分类号: | H01F41/18;C23C28/00;C04B41/90 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 王震宇 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁性 器件 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种磁性器件及其制作方法。
背景技术
目前磁性器件如电感、变压器等,其电极实现方式有多种,常见的有 底面一体化电极,塑胶基底电极,金属端子电极,或直接采用线材作为电 极。目前底面一体金属化实现方式主要有两种:
一是传统的电镀工艺。主要在磁性材料表面通过印制银浆特定图案, 在进行烧结固化;然后再进行电镀作业,通过电镀金属层的方法形成一体 化电极。
但该工艺要求磁性材料非特定图案其他区域材料的表面电阻大于 100000Ω/m,以避免发生爬镀问题;另外磁性材料在镀篮中会发生摩擦碰 撞,玻璃釉在电镀时会崩缺、剥离,造成绝缘层损伤,进而造成爬镀问题。
二是传统的溅射工艺。该工艺主要通过磁控溅射或离子溅射将特定金 属沉积到磁性材料表面,形成特定图案。特性图案主要通过遮蔽掩膜或遮 蔽治具来实现。但该方式电极剥离力主要通过溅射层和底层材料的分子间 力实现,目前的溅射金属层和玻璃釉结合力较弱。
总之,目前针对低阻性磁性材料器件产品常用的是外部电极,无法批 量规模化自动化在磁性材料底面实现一体金属化,主要有三个技术难题:
(1)烧好银后的低阻性磁性材料在局部绝缘包覆不能进行电镀处理, 未包覆的表面发生爬镀;
(2)玻璃釉层在传统电镀过程中由于滚动摩擦会崩缺、剥离,造成 爬镀,达不到预期绝缘处理效果;
(3)传统溅射方法中玻璃釉层和溅射金属层易发生摩擦碰撞剥离, 界面结合力弱。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术的不足,提供一种磁性器件及其 制作方法。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种磁性器件,包括磁性材料和形成在所述磁性材料上的玻璃釉层, 还包括形成在所述玻璃釉层上的烧结银层,以及形成在所述烧结银层上的 溅射金属化层,所述烧结银层是由印制在所述玻璃釉层上的具有预定图案 的银层经烧结后与所述玻璃釉层结合在一起,优选地,所述银层是经 500~900℃的中低温烧结而形成,所述溅射金属化层是在所述烧结银层上 溅射金属镍和金属锡而形成。
进一步地:
所述烧结银层中含有玻璃相。
所述溅射金属化层包括与所述烧结银层相接的金属镍过渡层和位于 所述过渡层外侧的金属锡焊接层。
所述磁性材料为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料,所述玻 璃釉层是表面电阻率大于100000Ω/m的绝缘玻璃。
所述烧结银层和所述溅射金属化层对所述磁性材料的选定部位例如 磁性材料的底部形成包覆。
一种磁性器件的制作方法,包括以下步骤:
准备磁性材料;
在所述磁性材料上形成玻璃釉层;
在所述玻璃釉层上印制具有预定图案的银层,经烧结后与所述玻璃釉 层结合在一起,形成烧结银层,优选地,所述银层是经500~900℃的中低 温烧结而形成;
在所述烧结银层上溅射金属镍和金属锡,形成溅射金属化层。
进一步地:
所述烧结银层中含有玻璃相。
所述溅射金属化层包括与所述烧结银层相接的金属镍过渡层和位于 所述过渡层外侧的金属锡焊接层。
所述磁性材料为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料,所述玻 璃釉层是表面电阻率大于100000Ω/m的绝缘玻璃。
所述烧结银层和所述溅射金属化层对所述磁性材料的选定部位例如 磁性材料的底部形成包覆。
本发明的有益效果:
通过本发明的改进,能够实现对低阻性磁性材料同高阻性铁氧体材料 一样在其底部直接进行可靠、高质量的金属化,且便于缩短磁性器件的生 产流程,实现结构尺寸利用最大化以及自动化生产。
本发明尤其适用于低阻性磁性器件,例如磁性材料的表面电阻率小于 1000Ω/m的磁性器件;
本发明尤其适用于磁性器件部分表面进行包覆的需求。
本发明尤其适用于单重大于0.5g以上的磁性器件。
附图说明
图1为本发明磁性器件一种实施例的结构示意图。
图2为本发明磁性器件的制作方法一种实施例的流程图。
具体实施方式
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