[发明专利]一种磁性器件及其制作方法在审
申请号: | 201610025096.6 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105679529A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 何海根;吴锦超;沈品帆;王永杰 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/18 | 分类号: | H01F41/18;C23C28/00;C04B41/90 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 王震宇 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁性 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种磁性器件,包括磁性材料和形成在所述磁性材料上的玻璃釉 层,其特征在于,还包括形成在所述玻璃釉层上的烧结银层,以及形成在 所述烧结银层上的溅射金属化层;所述烧结银层是由印制在所述玻璃釉层 上的具有预定图案的银层经烧结后与所述玻璃釉层结合在一起,优选地, 所述银层是经500~900℃的中低温烧结而形成;所述溅射金属化层是在所 述烧结银层上溅射金属镍和金属锡而形成。
2.如权利要求1所述的磁性器件,其特征在于,所述烧结银层中含 有玻璃相。
3.如权利要求1所述的磁性器件,其特征在于,所述溅射金属化层 包括与所述烧结银层相接的金属镍过渡层和位于所述过渡层外侧的金属 锡焊接层。
4.如权利要求1至3任一项所述的磁性器件,其特征在于,所述磁 性材料为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料,所述玻璃釉层是表 面电阻率大于100000Ω/m的绝缘玻璃。
5.如权利要求1至4任一项所述的磁性器件,其特征在于,所述烧 结银层和所述溅射金属化层对所述磁性材料的选定部位如磁性材料的底 部形成包覆。
6.一种磁性器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
准备磁性材料;
在所述磁性材料上形成玻璃釉层;
在所述玻璃釉层上印制具有预定图案的银层,经烧结后与所述玻璃釉 层结合在一起,形成烧结银层,优选地,所述银层是经500~900℃的中低 温烧结而形成;
在所述烧结银层上溅射金属镍和金属锡,形成溅射金属化层。
7.如权利要求6所述的磁性器件的制作方法,其特征在于,所述烧 结银层中含有玻璃相。
8.如权利要求6所述的磁性器件,其特征在于,所述溅射金属化层 包括与所述烧结银层相接的金属镍过渡层和位于所述过渡层外侧的金属 锡焊接层。
9.如权利要求6至8任一项所述的磁性器件,其特征在于,所述磁 性材料为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料,所述玻璃釉层是表 面电阻率大于100000Ω/m的绝缘玻璃。
10.如权利要求6至9任一项所述的磁性器件,其特征在于,所述烧 结银层和所述溅射金属化层对所述磁性材料的选定部位如磁性材料的底 部形成包覆。
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