[发明专利]半导体激光元件有效
申请号: | 201610019680.0 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN105490161B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 枡井真吾;川田康博;藤本英之;道上敦生 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/0234 | 分类号: | H01S5/0234;H01S5/042;H01S5/22;B82Y20/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 元件 | ||
1.一种半导体激光元件,其特征在于,具备:
基板;半导体部,其设置于上述基板上且在上述基板的相反侧的面具有隆脊;上部电极,其设置于上述隆脊上;绝缘膜,其设置于上述隆脊的两侧的半导体部上;隔板部,其设置于上述绝缘膜上;焊垫电极,其设置于上述上部电极以及上述绝缘膜上,至少覆盖上述隔板部的一部分;和下部电极,其设置于设置有上述半导体部的上述基板的面的相反侧的面,该半导体激光元件将上述焊垫电极侧作为安装面侧,
上述隔板部包含仅设置在上述隆脊的出射端面的附近的第1隔板部以及仅设置在上述隆脊的反射端面的附近的第2隔板部,
上述第1隔板部在上述隆脊的两侧分离,上述第2隔板部在上述隆脊的两侧分离,
上述焊垫电极形成为位于上述隆脊的上方的上表面、与位于上述隔板部的上方的上表面实质上处于相同的高度,
上述焊垫电极与上述绝缘膜相接。
2.如权利要求1所述的半导体激光元件,其中,
上述上部电极的上表面与上述第1隔板部的上表面的高低差小于50nm。
3.如权利要求1所述的半导体激光元件,其中,
上述上部电极的上表面与上述第1隔板部的上表面的高低差小于30nm。
4.如权利要求1所述的半导体激光元件,其中,
上述焊垫电极在谐振器长度方向上一体地覆盖上述第1隔板部的上表面、上述绝缘膜的上表面以及上述第2隔板部的上表面。
5.如权利要求1所述的半导体激光元件,其中,
在上述半导体部的缘部具备朝隆脊的延伸方向延伸的段差部,
上述段差部被上述绝缘膜覆盖。
6.如权利要求1所述的半导体激光元件,其中,
上述隔板部由绝缘材料构成。
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