[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效

专利信息
申请号: 201610017949.1 申请日: 2016-01-12
公开(公告)号: CN106960783B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 程晋广;陈福成 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/48;H01L23/49
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟;冯永贞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置
【说明书】:

发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供器件晶圆,在所述器件晶圆上形成有具有竖直侧壁的凹槽,以在所述晶圆表面和所述凹槽的底面形成台阶形结构;步骤S2:在所述器件晶圆表面以及所述凹槽的表面依次形成金属膜和光刻胶层,以覆盖所述器件晶圆表面以及所述凹槽的表面;步骤S3:以倾斜的角度对所述光刻胶进行曝光,以在所述凹槽的一侧的所述台阶形结构上形成若干相互间隔的线形图案;步骤S4:以所述光刻胶为掩膜蚀刻所述金属膜,以形成若干相互间隔的金属线。本发明的优点在于:1、采用倾角曝光,在垂直侧壁定义图形,至少降低器件50~100um宽度的芯片面积。

技术领域

本发明涉及半导体领域,具体地,本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。

背景技术

在电子消费领域,多功能设备越来越受到消费者的喜爱,相比于功能简单的设备,多功能设备制作过程将更加复杂,比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片,因而出现了3D集成电路(integrated circuit,IC)技术,3D集成电路(integrated circuit,IC)被定义为一种系统级集成结构,将多个芯片在垂直平面方向堆叠,从而节省空间,各个芯片的边缘部分可以根据需要引出多个引脚,根据需要利用这些引脚,将需要互相连接的芯片通过金属线互联。

目前指纹印(Finger printer)设备在移动设备上的普及率越来越高,但是在封装方法上还是采用以前的封装工艺,即丝焊(wire bond)的方法,而这个丝焊(wire bond)的接触点是放在通过深反应刻蚀(DRIE,Deep Reactive-ion Etch),通过RDL工艺,将焊盘置于沟槽内,用于打线(wire bond)使指纹芯片与外界相连。之所以将焊盘做在沟槽内再打线,而不是直接在表面做焊盘做打线与外界相连,是因为这样可以不占用表面的空间,以使得指纹信号感测芯片与蓝宝石片直接键合,从而最小化手指指纹和感测芯片的距离,为芯片提供更强的电容信号。

目前所述封装方法一般包括器件晶圆制备,然后进行光刻,通过特殊刻蚀工艺形成特定角度低台阶形貌,然后制备金属膜层,涂胶并正常垂直曝光,显影,在目前的方法中必须采用湿法等工艺形成缓坡度侧壁的地台阶形貌,消费了较大的芯片面积。

因此,需要对目前的封装方法做进一步的改进,以便克服上述各种弊端。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了克服目前存在问题,提供了一种半导体器件的制备方法,包括:

步骤S1:提供器件晶圆,在所述器件晶圆上形成有具有竖直侧壁的凹槽,以在所述晶圆表面和所述凹槽的底面形成台阶形结构;

步骤S2:在所述器件晶圆表面以及所述凹槽的表面依次形成金属膜和光刻胶层,以覆盖所述器件晶圆表面以及所述凹槽的表面;

步骤S3:以倾斜的角度对所述光刻胶进行曝光,以在所述凹槽的一侧的所述台阶形结构上形成若干相互间隔的线形图案;

步骤S4:以所述光刻胶为掩膜蚀刻所述金属膜,以形成若干相互间隔的金属线。

可选地,在所述步骤S1中所述凹槽的侧壁与水平方向的夹角小于90°。

可选地,在所述步骤S1中所述凹槽的侧壁与水平方向的夹角为89-90°。

可选地,在所述步骤S2中所述光刻胶层通过喷雾或电镀的涂胶方式形成,以使所述台阶形结构的底部和侧壁均匀涂胶。

可选地,在所述步骤S3中,以与水平方向成30-60°倾角的方向对所述凹槽的一侧的所述台阶形结构上的所述光刻胶层进行曝光。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610017949.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top