[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610017949.1 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106960783B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 程晋广;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/48;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供器件晶圆(101)，在所述器件晶圆上形成有具有竖直侧壁的凹槽，以在所述晶圆表面和所述凹槽的底面形成台阶形结构；
步骤S2：在所述器件晶圆表面以及所述凹槽的表面依次形成金属膜(102)和光刻胶层(103)，以覆盖所述器件晶圆表面以及所述凹槽的表面；
步骤S3：以倾斜的角度对所述光刻胶层进行曝光，以在所述凹槽的一侧的所述台阶形结构上形成若干相互间隔的线形图案；
步骤S4：以所述光刻胶层为掩膜蚀刻所述金属膜，以形成若干相互间隔的用于互连的金属线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中所述凹槽的侧壁与水平方向的夹角小于90°。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中所述凹槽的侧壁与水平方向的夹角为89-90°。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中所述光刻胶层通过喷雾或电镀的涂胶方式形成，以使所述台阶形结构的底部和侧壁均匀涂胶。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，以与水平方向成30-60°倾角的方向对所述凹槽的一侧的所述台阶形结构上的所述光刻胶层进行曝光。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：提供所述器件晶圆；
步骤S12：对所述器件晶圆进行蚀刻，以在所述器件晶圆中用于封装互连的区域形成所述凹槽。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述金属膜选用Al、Cu、Au、Ag和Ni中的一种或由多种形成的合金。
8.一种基于权利要求1至7之一所述的方法制备得到的半导体器件。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
