[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；其特征在于，所述阵列基板还包括：

位于所述衬底基板上的隔离层，所述隔离层包括：平行于所述衬底基板的主体层，和位于所述主体层上与栅线平行排列的多个凸出部；

薄膜晶体管以及所述栅线；

其中，所述凸出部包括沿栅线方向延伸的相对设置的两个侧面；至少一个所述侧面上设置有沿所述栅线方向排列的一行所述薄膜晶体管以及一根栅线；设置有所述薄膜晶体管以及所述栅线的所述侧面为相对于所述主体层朝上设置的斜面；

所述阵列基板还包括：

位于所述薄膜晶体管下方且覆盖所述隔离层的光学层；

其中，所述衬底基板、所述隔离层以及所述光学层的折射率依次增加。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光学层由多层透明材料构成；其中，沿远离所述衬底基板的方向，每层透明材料的折射率依次增加。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凸出部具有设置在两个所述侧面之间的且远离所述主体层的顶面；

所述阵列基板具体包括：

隔离所述薄膜晶体管的有源层与所述薄膜晶体管的栅极的栅绝缘层；

隔离所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述栅极的层间绝缘层；

其中，所述栅线对应于所述有源层的部分为所述薄膜晶体管的栅极；

所述有源层的图案为U型的低温多晶硅有源层；所述有源层的图案跨越所述主体层、所述斜面以及所述顶面；其中，所述有源层的U型两端分别位于所述顶面上；

所述栅绝缘层覆盖所述有源层、且所述栅线位于所述栅绝缘层覆盖所述斜面的区域上；

所述层间绝缘层覆盖所述栅线；所述源极通过贯通所述层间绝缘层与所述栅绝缘层的第一通孔与所述有源层的U型一端相连，所述漏极通过贯通所述层间绝缘层与所述栅绝缘层的第二通孔与所述有源层的U型另一端相连。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述隔离层之间、且与所述薄膜晶体管一一对应的挡光层；其中，所述挡光层的图案至少对应于所述有源层位于所述斜面上的部分。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述主体层与所述凸出部均由氮化硅材料构成；

所述阵列基板还包括：位于所述有源层下方且覆盖所述隔离层的氧化硅绝缘层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凸出部具有设置在两个所述侧面之间的且远离所述主体层的顶面；

所述阵列基板具体包括：

位于所述光学层上的挡光层，所述挡光层的位置对应于所述光学层覆盖所述斜面的区域；

位于所述光学层上方的缓冲层，且所述缓冲层覆盖所述挡光层；

隔离所述薄膜晶体管的有源层与所述薄膜晶体管的栅极的栅绝缘层；

隔离所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述薄膜晶体管的栅极的层间绝缘层；

其中，所述栅线对应于所述有源层的部分为所述栅极；

所述有源层为U型的低温多晶硅有源层，所述有源层的图案跨越所述缓冲层对应于所述主体层、所述斜面以及所述顶面的区域；其中，所述有源层的U型两端分别位于所述缓冲层对应于所述顶面的区域上；

所述栅绝缘层覆盖所述有源层、且所述栅线位于所述栅绝缘层对应于所述斜面的区域上；

所述层间绝缘层覆盖所述栅线；所述源极通过贯通所述层间绝缘层与所述栅绝缘层的第一通孔与所述有源层的U型一端相连，所述漏极通过贯通所述层间绝缘层与所述栅绝缘层的第二通孔与所述有源层的U型另一端相连。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述缓冲层的折射率小于所述光学层的折射率，所述缓冲层对应于所述顶面的至少部分区域为镂空结构；

和/或，所述栅绝缘层的折射率小于所述光学层的折射率，所述栅绝缘层对应于所述顶面的至少部分区域为镂空结构；

和/或，所述层间绝缘层的折射率小于所述光学层的折射率，所述层间绝缘层对应于所述顶面的至少部分区域为镂空结构。