[发明专利]一种阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201610012244.0 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN105633097B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 刘成伟;张心杰;宫剑 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 信号引出线 静电环 信号线 绝缘层 显示面板 显示装置 膜层 连接断开 静电 导电层 击穿 断开 释放 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括信号线和用于释放所述信号线中静电的静电环单元,所述阵列基板还包括:
分别连接所述信号线和静电环单元的信号引出线,所述信号引出线具有断开区域;
位于所述信号引出线和所述静电环单元所在膜层之上的绝缘层;
位于所述绝缘层所在膜层之上且分别连接断开区域两侧的信号引出线的导电层;
其中,所述静电环单元包括:
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
其中,所述第一薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的漏极电性相连,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极电性相连,所述第一薄膜晶体管的栅极和源极分别与所述静电环单元左侧的信号引出线电性相连;
所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的栅极电性相连,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述静电环单元右侧的信号引出线电性相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层至少包括位于所述断开区域的部分。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述断开区域内填充所述绝缘层,且位于所述信号引出线之上的绝缘层中包括分别露出位于所述断开区域两侧的部分信号引出线的过孔,在所述过孔处以及所述过孔之间的绝缘层上形成分别连接断开区域两侧的信号引出线的导电层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述断开区域内填充所述绝缘层,且位于所述信号引出线之上的绝缘层以及位于所述断开区域之上的绝缘层中包括露出位于所述断开区域两侧的部分信号引出线的过孔,且所述过孔覆盖所述断开区域,在所述过孔处填充连接断开区域两侧的信号引出线的导电层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
分别连接所述第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的栅极和源极的第一导电部;
连接所述第一薄膜晶体管的源极与所述静电环单元左侧的信号引出线的第二导电部。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电部和第二导电部同层设置,且相互绝缘。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电部、第二导电部与所述导电层同层设置,且相互绝缘。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电部与所述导电层同层设置,且电性相连。
9.根据权利要求1、5-8任一权项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均为底栅型结构。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-9任一权项所述的阵列基板。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求10所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的