[发明专利]一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置有效
| 申请号: | 201610007006.0 | 申请日: | 2016-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN105633121B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
| 发明(设计)人: | 王丹;张微 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电致发光 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。该电致发光显示面板包括基板,位于基板上的多个OLED;OLED包括位于基板上的透明的阳极层,位于阳极层上的有机发光结构,和位于有机发光结构上的阴极层,阴极层为反射层;基板与阳极层的接触面上有与有机发光结构对应设置的凹槽结构;在凹槽结构中设置有透明的填充层;填充层的上表面与基板的上表面位于同一水平面;填充层的折射率大于阳极层的折射率、且与基板的折射率不同。在凹槽结构的折射作用下,减小了每个有机发光结构发出的光到基板的入射角度,降低了光从阳极层进入基板发生全反射的可能,提高对每个有机发光结构发出的光的取出效率;且不会降低该显示面板柔性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
目前,有机发光显示器件作为下一代显示与照明技术的主流发展方向,具有主动发光、色域宽、响应快、视角广、对比度高、平面化等优点。为了提高有机发光显示器件的光取出效率,一种方式是内取出,主要是在基板的发光面贴附散射层,或者微透镜膜层,来减少玻璃基板到空气的全反射;一种方式是外取出,在有机发光显示器件内部引入光散射层,如在玻璃基板和透明导电层界面处引入光散射层或光栅结构,以提高光经过此界面时的取出效率。这种现有的提高光取出效率的方式中,由于需要增加膜层,会降低有机发光显示器件的柔性。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,用于解决提高有机发光显示器件光取出效率同时提高有机发光显示器件柔性的问题。
本发明实施例的目的是通过以下技术方案实现的:
一种电致发光显示面板,包括基板,位于所述基板上的多个有机发光二极管OLED;所述OLED包括位于所述基板上的透明的阳极层,位于所述阳极层上的有机发光结构,和位于所述有机发光结构上的阴极层,所述阴极层为反射层;
所述基板与所述阳极层的接触面上有与所述有机发光结构对应设置的凹槽结构;
在所述凹槽结构中设置有透明的填充层;
所述填充层的上表面与所述基板的上表面位于同一水平面;
所述填充层的折射率大于所述阳极层的折射率、且与所述基板的折射率不同。
较佳地,所述凹槽结构在所述基板上的正投影的区域覆盖所述有机发光结构在所述基板上的正投影的区域。
较佳地,所述凹槽结构在所述基板上的正投影的面积为所述有机发光结构在所述基板上的正投影的面积的1倍至1.5倍。
较佳地,所述凹槽结构在所述基板上的正投影的形状为圆形、正方形或者长方形。
较佳地,所述有机发光结构在所述基板上的正投影的形状为正方形;所述凹槽结构在所述基板上的正投影的形状为圆形。
较佳地,所述有机发光结构在所述基板上的正投影的形状为正方形时的宽度为10um至25um;所述凹槽结构在所述基板上的正投影的形状为圆形时的直径为20um至30um。
较佳地,所述基板为柔性基板。
较佳地,所述基板为聚酰亚胺PI基板。
较佳地,所述凹槽结构的深度不超过所述基板的厚度的2/3。
较佳地,所述填充层的材料为玻璃胶材料。
一种显示装置,包括以上任一项所述的电致发光显示面板。
一种如以上任一项所述的电致发光显示面板的制作方法,该制作方法包括:
在基板上形成凹槽结构;
在所述凹槽结构中形成填充层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610007006.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种超结MOSFET
- 下一篇:有机发光显示装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





